一种半导体工程电极表面结构制造技术

本技术公开了一种半导体工程电极表面结构，包括电极，电极上设有气孔，电极的表面为非镜面，现有的电极表面粗糙度在Ra0.05μm以下，表面呈镜面，为了具有Ra0.1～1.0μm的粗糙度，采用Lapping&Sanding方法来加工电极，为了具有Ra0.1～1.0μm的粗糙度，使用wetEtching方法来加工电极。本技术通过增加电极表面的粗糙度，在物理上增加电极的表面积，更有效地产生等离子，进而提高蚀刻工序的蚀刻率，达到提高生产效率的目的。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体工程电极表面结构。

技术介绍

1、随着通信从4g向5g发展，智能手机等电子产业越来越发达，人们对芯片的要求也越来越高，半导体制程工艺也从24纳米向7纳米，5纳米发展，以进一步提高芯片的性能及容量。这要求更高的功率及更复杂的工艺，相应地，为了确保芯片的稳定性，等离子工序所需的部件要求也越来越高，为了提高半导体蚀刻工序中等离子的活性，提高蚀刻率以达到更高的生产效率及合格率，利用氧气等气体来改善工程的方法已经渐渐无法满足要求，所以需要使用气体以外的物理方法来改善工序。

技术实现思路

1、本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种半导体工程电极表面结构。

2、为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：

3、一种半导体工程电极表面结构，包括电极，所述电极上设有气孔，电极的表面为非镜面。

4、优选地，所述电极表面的表面粗糙度为ra 0.1～1.0um。

5、优选地，所述电极的原材料为硅、碳化硅、cvd-sic、石英、三氧化二铝和氮化硼。

6、优选地，所述硅、碳化硅、cvd-sic、石英、三氧化二铝和氮化硼的纯度在99.99％以上。

7、优选地，所述气孔呈环状均匀排布在电极表面。

8、与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术通过增加电极表面的粗糙度，在物理上增加电极的表面积，更有效地产生等离子，进而提高蚀刻工序的蚀刻率，达到提高生产效率的目的。

【技术保护点】

1.一种半导体工程电极表面结构，包括电极，其特征在于，所述电极上设有气孔，所述气孔呈环状均匀排布在电极表面，且电极的表面为非镜面，所述电极表面的表面粗糙度Ra为0.1～1.0um 。

【技术特征摘要】

1.一种半导体工程电极表面结构，包括电极，其特征在于，所述电极上设有气孔，所述气孔呈环状均匀...

【专利技术属性】
技术研发人员：许赞，朴永哲，
申请(专利权)人：安徽四象半导体材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：