【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种蚀刻厚度均匀的半导体电极。
技术介绍
1、 随着通信从4g向 5g发展，智能手机等电子产业越来越发达，人们对芯片的要求也越来越高，半导体制程工艺也从 24 纳米向 7纳米，5纳米发展，以进一步提高芯片的性能及容量。这要求更高的功率及更复杂的工艺，相应地，为了确保芯片的稳定性，等离子工序所需的部件要求也越来越高，为了提高半导体蚀刻工序中等离子的活性，提高蚀刻率以达到更高的生产效率及合格率， 利用氧气等气体来改善工程的方法已经渐渐无法满足要求，所以需要使用气体以外的物理方法来改善工序；在蚀刻时，由于电极上线圈一圈圈排布，这就导致离线圈较近的部分生成等离子的反应速率较快，产生的等离子量较多，而距离较远的部分生成等离子的反应速率较慢，产生的等离子量较少，这就导致各部位等离子体蚀刻速率不同，最终在晶圆上蚀刻不均匀。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种蚀刻效果均匀的半导体电极。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
3、一种蚀刻效果均匀的半导体电极，包括电极，所述电极表面设有呈环状分布的气孔，电极表面设有曲面，曲面为连续环状。
4、优选地，所述曲面最外轮廓部位与中心部位凸出，最外轮廓部位与中心部位之间区域向内凹陷。
5、优选地，所述曲面在平面内投影半径在150～300mm。
6、优选地，所述曲面的中心凸出部位在平面内投影半径在1～150mm。
7、优选地，所述电极的原材料为硅、碳化硅、 cvd-sic、石英、三氧化二铝和氮化硼。
8、优选地，所述硅、碳化硅、 cvd-sic、石英、三氧化二铝和氮化硼的纯度在99.99%以上。
9、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术中电极作为等离子蚀刻的核心部件，通过在电极对应线圈的部位设置凹陷曲面，降低该部位等离子蚀刻速率，从而保证各部位蚀刻的一致性，也就是在电极表面设置与晶圆环状蚀刻形态对应相反的形态，可以稳定的提高蚀刻速率，保证蚀刻厚度均匀，提高生产效率。
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1.一种蚀刻效果均匀的半导体电极，包括电极，其特征在于，所述电极表面设有呈环状分布的气孔，电极表面设有曲面，曲面为连续环状。
2.根据权利要求1所述的一种蚀刻效果均匀的半导体电极，其特征在于，所述曲面最外轮廓部位与中心部位凸出，最外轮廓部位与中心部位之间区域向内凹陷。
3.根据权利要求2所述的一种蚀刻效果均匀的半导体电极，其特征在于，所述曲面在平面内投影半径在150～300mm。
4.根据权利要求3所述的一种蚀刻效果均匀的半导体电极，其特征在于，所述曲面的中心凸出部位在平面内投影半径在1～150mm。
5.根据权利要求4所述的一种蚀刻效果均匀的半导体电极，其特征在于，所述电极的原材料为硅、碳化硅、CVD-SiC、石英、三氧化二铝和氮化硼。
6.根据权利要求5所述的一种蚀刻效果均匀的半导体电极，其特征在于，所述硅、碳化硅、CVD-SiC、石英、三氧化二铝和氮化硼的纯度在99.99％以上。
【技术特征摘要】
1.一种蚀刻效果均匀的半导体电极，包括电极，其特征在于，所述电极表面设有呈环状分布的气孔，电极表面设有曲面，曲面为连续环状。
2.根据权利要求1所述的一种蚀刻效果均匀的半导体电极，其特征在于，所述曲面最外轮廓部位与中心部位凸出，最外轮廓部位与中心部位之间区域向内凹陷。
3.根据权利要求2所述的一种蚀刻效果均匀的半导体电极，其特征在于，所述曲面在平面内投影半径在150～300mm。
4.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：许赞，朴永哲，
申请(专利权)人：安徽四象半导体材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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