本技术公开了一种电极细微孔清洗的装置，包箱体，箱体的内部安装有放置板，箱体内部根据放置板分为清理箱和储液箱，分区板的上壁放置产品，分区板对应产品开设通液孔，所述储液箱内壁设有放置架，放置架上壁设有超声波装置，清理箱和储液箱之间通过外界循...

本发明提供一种等离子蚀刻电极加工设备及加工方法，其等离子蚀刻电极加工设备包括主轴、工作台、脉冲源，工作台用于定位待成型棒状电极的主轴；主轴上至少设置一个用于电火花钻孔的棒状电极；脉冲源用于在蚀刻电极与棒状电极之间施加电脉冲；工作时，棒状...

本技术提供一种用于等离子蚀刻的限位环，包括上壁、侧壁与下壁；所述上壁呈环形，所述侧壁自上壁的外缘向下延伸，所述下壁呈环形设置在侧壁的下缘，所述上壁、侧壁与下壁形成C形空腔；所述上壁和/或所述下壁上开设有气槽，所述上壁和/或所述下壁与所述...

本技术提供一种用于等离子蚀刻的限定环，包括约束环，所述约束环包括上壁、侧壁与下壁，所述上壁呈环形，所述侧壁沿上壁的外缘垂直延伸，所述下壁设置在侧壁的下缘，呈环形；气槽设置在上壁和/或下壁上。调节环，所述调节环运动设置在所述上壁和/或所述...

本技术公开了一种利用压力差的孔蚀刻装置，包括箱体，箱体内壁连接分区板，箱体根据分区板分为蚀刻箱和储液箱，分区板的上壁放置产品，分区板对应产品开设通液孔，所述蚀刻箱和储液箱之间通过连通管和过溢管连通，连通管侧壁连接抽液泵，储液箱侧壁连通排...

本技术公开了一种蚀刻效果均匀的半导体电极，包括电极，所述电极表面设有呈环状分布的气孔，电极表面设有曲面，曲面为连续环状所述曲面最外轮廓部位与中心部位凸出，最外轮廓部位与中心部位之间区域向内凹陷。本技术中电极作为等离子蚀刻的核心部件，通过...

本技术公开了一种半导体工程电极表面结构，包括电极，电极上设有气孔，电极的表面为非镜面，现有的电极表面粗糙度在Ra0.05μm以下，表面呈镜面，为了具有Ra0.1～1.0μm的粗糙度，采用Lapping&Sanding方法来加工电...

本发明公开了一种蚀刻效果均匀的半导体电极，包括电极，所述电极表面设有呈环状分布的气孔，电极表面设有曲面，曲面为连续环状所述曲面最外轮廓部位与中心部位凸出，最外轮廓部位与中心部位之间区域向内凹陷。本发明中电极作为等离子蚀刻的核心部件，通过...

本实用新型提供一种等离子蚀刻的电极组件及电极极板，其等离子蚀刻的电极组件包括上电极，用于固定上电极的支撑板，所述上电极位于等离子腔外侧开设有盲孔；紧固件连接支撑板，并于上电极的盲孔中固定

本发明提供一种用于等离子蚀刻的限定环，包括约束环，所述约束环包括上壁、侧壁与下壁，所述上壁呈环形，所述侧壁沿上壁的外缘垂直延伸，所述下壁设置在侧壁的下缘，呈环形；气槽设置在上壁和/或下壁上。调节环，所述调节环运动设置在所述上壁和/或所述...

本发明提供一种用于等离子蚀刻的限位环，包括上壁、侧壁与下壁；所述上壁呈环形，所述侧壁自上壁的外缘向下延伸，所述下壁呈环形设置在侧壁的下缘，所述上壁、侧壁与下壁形成C形空腔；所述上壁和/或所述下壁上开设有气槽，所述上壁和/或所述下壁与所述...