【技术实现步骤摘要】
本技术涉及蚀刻，尤其涉及一种利用压力差的孔蚀刻装置。
技术介绍
1、随着通信从4g向5g发展，智能手机等电子产业越来越发达，人们对芯片的要求也越来越高，半导体制程工艺也从24纳米向7纳米，5纳米发展，以进一步提高芯片的性能及容量。因此工程要求也越来越苛刻，比如更高的功率等，为了生产出稳定的芯片，等离子工程中所使用部件的颗粒物管理要求也越来越高。
2、蚀刻工程中所使用的核心部件等离子圆形电极上有很多细微孔，利用钻头或edmdrilling方式加工，但是加工后孔部分的损伤会成为颗粒物污染源，所以需要通过蚀刻方法去除损伤，随着制程的发展这些孔也越来越小，孔蚀刻难度也越来越高，影响现在的孔蚀刻作业的效率。
技术实现思路
1、本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种利用压力差的孔蚀刻装置。
2、为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
3、一种利用压力差的孔蚀刻装置，包括箱体，箱体内壁连接分区板，箱体根据分区板分为蚀刻箱和储液箱，分区板的上壁放...
【技术保护点】
1.一种利用压力差的孔蚀刻装置，包括箱体(1)，其特征在于，所述箱体(1)内壁连接分区板(2)，箱体(1)根据分区板(2)分为蚀刻箱(3)和储液箱(4)，分区板(2)的上壁放置产品(5)，分区板(2)对应产品(5)开设通液孔(6)，所述蚀刻箱(3)和储液箱(4)之间通过连通管(7)和过溢管(8)连通，连通管(7)侧壁连接抽液泵(9)，储液箱(4)侧壁连通排气管(10)，连通管(7)、排气管(10)和过溢管(8)侧壁均连接调节阀(11)。
2.根据权利要求1所述的一种利用压力差的孔蚀刻装置，其特征在于，所述通液孔(6)的直径小于产品(5)直径，通液孔(6)面...
【技术特征摘要】
1.一种利用压力差的孔蚀刻装置，包括箱体(1)，其特征在于，所述箱体(1)内壁连接分区板(2)，箱体(1)根据分区板(2)分为蚀刻箱(3)和储液箱(4)，分区板(2)的上壁放置产品(5)，分区板(2)对应产品(5)开设通液孔(6)，所述蚀刻箱(3)和储液箱(4)之间通过连通管(7)和过溢管(8)连通，连通管(7)侧壁连接抽液泵(9)，储液箱(4)侧壁连通排气管(10)，连通管(7)、排气管(10)和过溢管(8)侧壁均连接调节阀(11)。
2.根据权利要求1所述的一种利用压力差的孔蚀刻装置，其特征在于，所述通液孔(6)的直径小于产品(5)直径，通液孔(6)面积大于产品(5)预蚀刻面积。
【专利技术属性】
技术研发人员：许赞，朴永哲，
申请(专利权)人：安徽四象半导体材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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