【技术实现步骤摘要】
本技术涉及蚀刻，尤其涉及一种利用压力差的孔蚀刻装置。
技术介绍
1、随着通信从4g向5g发展，智能手机等电子产业越来越发达，人们对芯片的要求也越来越高，半导体制程工艺也从24纳米向7纳米，5纳米发展，以进一步提高芯片的性能及容量。因此工程要求也越来越苛刻，比如更高的功率等，为了生产出稳定的芯片，等离子工程中所使用部件的颗粒物管理要求也越来越高。
2、蚀刻工程中所使用的核心部件等离子圆形电极上有很多细微孔，利用钻头或edmdrilling方式加工，但是加工后孔部分的损伤会成为颗粒物污染源，所以需要通过蚀刻方法去除损伤，随着制程的发展这些孔也越来越小，孔蚀刻难度也越来越高，影响现在的孔蚀刻作业的效率。
技术实现思路
1、本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种利用压力差的孔蚀刻装置。
2、为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
3、一种利用压力差的孔蚀刻装置，包括箱体，箱体内壁连接分区板，箱体根据分区板分为蚀刻箱和储液箱，分区板的上壁放置产品，分区板对应产品开设通液孔，所述蚀刻箱和储液箱之间通过连通管和过溢管连通，连通管侧壁连接抽液泵，储液箱侧壁连通排气管，连通管、排气管和过溢管侧壁均连接调节阀。
4、优选地，通液孔的直径小于产品直径，通液孔面积大于产品预蚀刻面积。
5、优选地，分区板上壁对应产品设有密封圈，密封圈内壁与产品外壁贴合。
6、优选地，排气管截面采用l型结构，排气管的侧壁连接压力表
7、优选地，连通管的上下端分别与储液箱下端、蚀刻箱顶端连通，且蚀刻箱内壁对应连通管的输入端连接进液端口。
8、与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术结构简单，通过产品掩盖通液孔的基础上，使储液箱形成封闭空间，在抽液泵的作用下，实现了储液箱与蚀刻向之间压力差的形成，使产品在蚀刻溶液自身蚀刻的基础上，增加了来自储液箱内部负压的作用力，进一步的提高了装置对产品的蚀刻作用，提高了蚀刻作业的工作效率，并通过排气管和过溢管，提高了装置对储液箱内部负压形成速度的调整，提高的装置的整体性和实用性，提高产品蚀刻作业的有效性和高效。
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1.一种利用压力差的孔蚀刻装置，包括箱体(1)，其特征在于，所述箱体(1)内壁连接分区板(2)，箱体(1)根据分区板(2)分为蚀刻箱(3)和储液箱(4)，分区板(2)的上壁放置产品(5)，分区板(2)对应产品(5)开设通液孔(6)，所述蚀刻箱(3)和储液箱(4)之间通过连通管(7)和过溢管(8)连通，连通管(7)侧壁连接抽液泵(9)，储液箱(4)侧壁连通排气管(10)，连通管(7)、排气管(10)和过溢管(8)侧壁均连接调节阀(11)。
2.根据权利要求1所述的一种利用压力差的孔蚀刻装置，其特征在于，所述通液孔(6)的直径小于产品(5)直径，通液孔(6)面积大于产品(5)预蚀刻面积。
3.根据权利要求2所述的一种利用压力差的孔蚀刻装置，其特征在于，所述分区板(2)上壁对应产品(5)设有密封圈(12)，密封圈(12)内壁与产品(5)外壁贴合。
4.根据权利要求3所述的一种利用压力差的孔蚀刻装置，其特征在于，所述排气管(10)截面采用L型结构，排气管(10)的侧壁连接压力表(13)，且排气管(10)的输出端垂直向上，排气管(10)的输出端端部高度高
5.根据权利要求4所述的一种利用压力差的孔蚀刻装置，其特征在于，所述连通管(7)的上下端分别与储液箱(4)下端、蚀刻箱(3)顶端连通，且蚀刻箱(3)内壁对应连通管(7)的输入端连接进液端口(14)。
...【技术特征摘要】
1.一种利用压力差的孔蚀刻装置，包括箱体(1)，其特征在于，所述箱体(1)内壁连接分区板(2)，箱体(1)根据分区板(2)分为蚀刻箱(3)和储液箱(4)，分区板(2)的上壁放置产品(5)，分区板(2)对应产品(5)开设通液孔(6)，所述蚀刻箱(3)和储液箱(4)之间通过连通管(7)和过溢管(8)连通，连通管(7)侧壁连接抽液泵(9)，储液箱(4)侧壁连通排气管(10)，连通管(7)、排气管(10)和过溢管(8)侧壁均连接调节阀(11)。
2.根据权利要求1所述的一种利用压力差的孔蚀刻装置，其特征在于，所述通液孔(6)的直径小于产品(5)直径，通液孔(6)面积大于产品(5)预蚀刻面积。
【专利技术属性】
技术研发人员：许赞，朴永哲，
申请(专利权)人：安徽四象半导体材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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