【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种显示面板及其制备方法。
技术介绍
1、迷你型发光二极管(mini light-emitting diode，简称mini led)和微型发光二极管(micro light-emitting diode，简称micro led)统称为m-led，m-led显示技术在近两年进入加速发展阶段，逐渐应用于中小型并具有高附加价值的显示领域，相较于有机发光二极管(organic light-emitting diode，简称oled)显示屏，m-led显示屏在成本、对比度、亮度以及外形上表现出更佳优势。
2、相关技术中的m-led显示面板广泛使用具有顶栅底接触结构的薄膜晶体管(thinfilm transistor，简称tft)，顶栅底接触结构的tft中的源漏极、绝缘层和有源层依次层叠设置，有源层通过绝缘层中的过孔与源漏极进行搭接，但绝缘层的开孔工艺一般为干法蚀刻，在形成开孔的过程中，源漏极表面容易被干法刻蚀等离子体破坏，从而造成有源层的搭接部与源漏极之间存在接触电阻较大的问题，此问题亟待解决。
技术实现思路
1、本申请提供一种显示面板及其制备方法，能够有效解决相关技术中的显示面板存在的有源层的搭接部与源漏极之间接触电阻较大的问题。
2、一方面，本申请提供一种显示面板，所述显示面板包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括：第一金属层，设置在所述衬底基板上，并包括源极和漏极；第一有源层，设置在所述第一金属层背离所
3、可选的，所述源极和所述漏极共同形成一凹槽，所述第一沟道位于所述凹槽内。
4、可选的，所述薄膜晶体管还包括：第二有源层，设置在所述第一有源层背离所述衬底基板的一侧；其中，所述第一有源层的电阻率小于所述第二有源层的电阻率。
5、可选的，所述第一有源层中的铟或镓的含量低于所述第二有源层中的铟或镓的含量。
6、可选的，所述第二有源层包括第二沟道，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第二沟道与所述第一沟道重叠设置。
7、可选的，所述第一沟道和所述第二沟道的材质均为金属氧化物。
8、可选的，所述薄膜晶体管还包括：栅极绝缘层，设置在所述第二有源层背离所述衬底基板的一侧，所述第二金属层设置在所述栅极绝缘层背离所述衬底基板的一侧；其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述栅极、所述栅极绝缘层和所述第二有源层重叠设置。
9、可选的，所述显示面板还包括：钝化层，设置在所述第二金属层背离所述衬底基板的一侧；像素电极层，设置在所述钝化层背离所述衬底基板的一侧；其中，所述钝化层包括暴露所述第一漏极搭接部的第一过孔，所述像素电极层包括像素电极，所述像素电极通过所述第一过孔与所述第一漏极搭接部电性连接；其中，所述像素电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述栅极在所述衬底基板上的正投影。
10、可选的，所述像素电极包括自所述栅极向所述第一源极搭接部延伸的第一部分，所述第一部分的长度为2至5微米。
11、另一方面，本申请提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板的制备方法包括以下步骤：在一衬底基板上形成一薄膜晶体管，其中，在一衬底基板上形成一薄膜晶体管的步骤包括：
12、在衬底基板的一侧形成图案化的第二金属层，所述第二金属层包括源极和漏极；
13、在所述第二金属层背离衬底基板的一侧形成图案化的第一有源层；
14、在所述第一有源层背离所述衬底基板的一侧形成图案化的第二有源层，所述第二有源层包括第二沟道，其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第二沟道与所述第一沟道重叠设置；
15、在所述第二有源层背离所述衬底基板的一侧依次形成栅极绝缘层和第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化，形成栅极，然后利用自对准工艺，完成对所述栅极绝缘层的图案化，其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述栅极、所述栅极绝缘层和所述第二有源层重叠设置；
16、对所述第一有源层进行导体化处理，以使所述第一有源层形成第一沟道、位于所述第一沟道两侧的第一源极搭接部和第一漏极搭接部，其中，所述第一源极搭接部附着于所述源极背离所述衬底基板的一侧的表面上，所述第一漏极搭接部附着于所述漏极背离所述衬底基板的一侧的表面上。
17、本申请提供一种显示面板及其制备方法，显示面板中，由于第一源极搭接部附着于源极背离衬底基板的一侧的表面上，第一漏极搭接部附着于漏极背离衬底基板的一侧的表面上，因此，第一有源层中的第一源极搭接部能够无需开孔直接与源极搭接，第一有源层中的第一漏极搭接部能够无需开孔直接与漏极搭接，从而能够省去第一有源层和源极、漏极之间的绝缘层，简化制备工艺，并避免因开孔工艺造成的有源层的搭接部与源极、漏极之间接触电阻较大的问题，保证tft器件的性能，确保tft器件的电流输出正常，提高显示面板的显示质量。
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1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管，其中，
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述源极和所述漏极共同形成一凹槽，所述第一沟道位于所述凹槽内。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一有源层中的铟或镓的含量低于所述第二有源层中的铟或镓的含量。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二有源层包括第二沟道，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第二沟道与所述第一沟道重叠设置。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一沟道和所述第二沟道的材质均为金属氧化物。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述像素电极包括自所述栅极向所述第一源极搭接部延伸的第一部分，所述第一部分的长度为2
10.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板的制备方法包括以下步骤：在一衬底基板上形成一薄膜晶体管，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管，其中，
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述源极和所述漏极共同形成一凹槽，所述第一沟道位于所述凹槽内。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一有源层中的铟或镓的含量低于所述第二有源层中的铟或镓的含量。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二有源层包括第二沟道，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第二沟道与所述第一沟...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗传宝，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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