【技术实现步骤摘要】
本揭露是有关于一种半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、碳化硅功率元件(例如晶体管)具有高阻隔电压、低导通电阻、高热传导性的特性，使得碳化硅功率晶体管越来越受重视。其中，碳化硅功率晶体管的阻抗可由晶体管中的不同元件的阻抗组成，例如触点、通道、栅极、磊晶层、基板的阻抗。其中，通道的阻抗值占了碳化硅功率晶体管中的阻抗值的一大部分。
技术实现思路
1、根据本揭露一些实施方式，一种半导体装置的制造方法包括以下步骤：形成基体区域于基板中；形成第一牺牲层于基板上，并覆盖基体区域；执行光刻工艺及第一蚀刻工艺，以图案化第一牺牲层，使第一牺牲层的外侧壁在基板的垂直投影与基体区域的内侧具有距离；以第一牺牲层为遮罩，形成源极区域于基板中，且源极区域相邻基体区域；执行第二蚀刻工艺，以退缩第一牺牲层，使得第一牺牲层的外侧壁在基板的垂直投影与源极区域的内侧具有距离；以第一牺牲层为遮罩，形成井区域于基板中，井区域相邻源极区域，且井区域接触基体区域的底部及源极区域的底部；形成第二牺牲层于基板上，并覆盖基体区域、源极区域以...
【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中执行该第二蚀刻工艺时，通过第二蚀刻工艺的时间控制该第一牺牲层的退缩程度。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中该第三蚀刻工艺为湿式蚀刻工艺，且在该第三蚀刻工艺的蚀刻温度下，该第一牺牲层与该第二牺牲层对于蚀刻液的蚀刻选择比介于8：1至9：1之间。
4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中外扩该第二牺牲层包括：
6.根据权利要求4或5所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中执行该第二蚀刻工艺时，通过第二蚀刻工艺的时间控制该第一牺牲层的退缩程度。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中该第三蚀刻工艺为湿式蚀刻工艺，且在该第三蚀刻工艺的蚀刻温度下，该第一牺牲层与该第二牺牲层对于蚀刻液的蚀刻选择比介于8：1至9：1之间。
4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中外扩...
【专利技术属性】
技术研发人员：萧逸楷，蒋光浩，郭浩中，
申请(专利权)人：鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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