温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

半导体装置的制造方法包括以下步骤：形成基体区域于基板中。形成保护层于基板上，并覆盖基体区域。形成第一牺牲层及第二牺牲层于基板上，并覆盖保护层。形成源极区域、井区域及接面场效晶体管区域于基板中。其中源极区域、井区域及接面场效晶体管区域依序形成...
该专利属于鸿海精密工业股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过鸿海精密工业股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。