【技术实现步骤摘要】
实施方式涉及半导体装置。
技术介绍
1、对于电力转换用半导体装置，要求降低恢复损耗(开关损耗)。
技术实现思路
1、实施方式提供降低了恢复损耗的半导体装置。
2、实施方式的半导体装置具备半导体部、第一～第四电极和第一及第二绝缘膜。半导体部包含第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、第二导电型的第三半导体层和第一导电型的第四半导体层。第一电极设于半导体部的背面上。第二电极设于半导体部的与背面相反的一侧的表面上。第三电极配置在设于半导体部的表面侧的第一沟槽的内部。第一绝缘膜覆盖第一沟槽的内表面，且位于半导体部与第三电极之间。第四电极在半导体部的表面侧配置在设于与第一沟槽相邻的位置的第二沟槽的内部。第二绝缘膜覆盖第二沟槽的内表面，且位于半导体部与第四电极之间。第一半导体层在第一电极与第二电极之间延伸。第二半导体层设于第一半导体层与第二电极之间，且在第三电极与第四电极之间延伸。第三半导体层在第二半导体层与第二电极之间部分地设于第二半导体层上，包含比第二半导体层的第二导电型杂...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
8.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：布施香织，河村圭子，末代知子，岩鍜治阳子，罇贵子，系数裕子，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。