【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。
技术介绍
1、以氮化镓基材料(gan-based materials)为基础的高电子迁移率晶体管具有于电子、机械以及化学等特性上的众多优点，例如宽能隙、高击穿电压、高电子迁移率、大弹性模数(elastic modulus)、高压电与压阻系数(high piezoelectric and piezoresistivecoefficients)等与化学钝性。上述优点使氮化镓基材料可用于如高亮度发光二极管、功率开关元件、调节器、电池保护器、面板显示驱动器、通信元件等应用的元件的制作。
技术实现思路
1、本专利技术一实施例揭露一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor,hemt)的方法，其主要先形成一缓冲层于基底上，形成一阻障层于该缓冲层上，形成一p型半导体层于该阻障层上，形成一栅极电极于该p型半导体层上，再形成一源极电极以及一漏极电极于该栅极电极两侧。其中缓冲层又细部包含一下半部具有第一碳浓度以及一上半部包含第二碳浓度，第二碳浓度小于第一碳浓度，且下半部厚度小于该上半部厚度。
2、本专利技术另一实施例揭露一种高电子迁移率晶体管，其主要包含一缓冲层设于基底上，一阻障层设于该缓冲层上以及一阻障层设于缓冲层上，一p型半导体层设于阻障层上，一栅极电极设于p型半导体层上以及一源极电极与一漏极电极设于栅极电极两侧。其中缓冲层又细部包含一下半部具有第一碳浓度以及一上半部包含第二碳浓度，第二
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1.一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的方法，还包含：
3.如权利要求2所述的方法，其中该沟道区包含第三碳浓度。
4.如权利要求3所述的方法，其中该第三碳浓度小于该第二碳浓度。
5.如权利要求3所述的方法，其中该第三碳浓度小于该第一碳浓度。
6.如权利要求1所述的方法，其中该第二碳浓度小于该第一碳浓度。
7.如权利要求1所述的方法，其中该下半部厚度小于该上半部厚度。
8.如权利要求1所述的方法，其中该缓冲层包含氮化镓(GaN)。
9.如权利要求1所述的方法，其中该阻障层包含氮化铝镓(AlxGa1-xN)。
10.如权利要求2所述的方法，其中该P型半导体层包含P型氮化镓。
11.一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)，其特征在于，包含：
12.如权利要求11所述的高电子迁
13.如权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，其中该沟道区包含第三碳浓度。
14.如权利要求13所述的高电子迁移率晶体管，其中该第三碳浓度小于该第二碳浓度。
15.如权利要求13所述的高电子迁移率晶体管，其中该第三碳浓度小于该第一碳浓度。
16.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，其中该第二碳浓度小于该第一碳浓度。
17.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，其中该下半部厚度小于该上半部厚度。
18.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，其中该缓冲层包含氮化镓(GaN)。
19.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，其中该阻障层包含氮化铝镓(AlxGa1-xN)。
20.如权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，其中该P型半导体层包含P型氮化镓。
...【技术特征摘要】
1.一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,hemt)的方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的方法，还包含：
3.如权利要求2所述的方法，其中该沟道区包含第三碳浓度。
4.如权利要求3所述的方法，其中该第三碳浓度小于该第二碳浓度。
5.如权利要求3所述的方法，其中该第三碳浓度小于该第一碳浓度。
6.如权利要求1所述的方法，其中该第二碳浓度小于该第一碳浓度。
7.如权利要求1所述的方法，其中该下半部厚度小于该上半部厚度。
8.如权利要求1所述的方法，其中该缓冲层包含氮化镓(gan)。
9.如权利要求1所述的方法，其中该阻障层包含氮化铝镓(alxga1-xn)。
10.如权利要求2所述的方法，其中该p型半导体层包含p型氮化镓。
11.一种高电子迁移率晶体管(high electron mobili...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭俊良，陈彦兴，陈彦纶，沈睿纮，杨宗穆，王俞仁，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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