【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。
技术介绍
1、许多半导体器件(例如，集成电路)包括晶体管和各种互连线。晶体管可以通过互连线彼此连接并且与其他电气部件连接。由于晶体管和互连线可以设置在不同的层级，即，距其上制造集成电路的衬底不同的距离，因此需要垂直和水平地传导电信号。被称为过孔的结构可以用于在集成电路的一个层级与另一层级之间提供导电路径。互连线和过孔都具有与其相关联的电阻，并且这些电阻的大小取决于若干因素，包括制造它们的材料，以及这些导电结构的宽度、长度和厚度。
技术实现思路
1、根据本公开的一方面，一种结构包括：第一垂直定向半导体柱，具有一个或多个侧壁和顶表面，所述第一垂直定向半导体柱具有第一宽度；第一电介质材料，与第一垂直定向半导体柱的一个或多个侧壁邻接；以及第一导电结构，具有第一表面且具有大于第一宽度的第二宽度，所述第一导电结构被设置为使得其第一表面的第二部分与第一垂直定向半导体柱的顶表面电接触，其中第一导电结构的第一表面的第一部分横向延伸超出第一垂直定向半导体柱的顶表面...
【技术保护点】
1.一种结构，包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一垂直定向半导体柱与半导体衬底成一体。
3.根据权利要求2所述的结构，还包括：
4.根据权利要求3所述的结构，还包括：
5.根据权利要求4所述的结构，其中，所述第一电介质插塞包括氮化硅。
6.根据权利要求3所述的结构，其中，所述第一金属硅化物结构具有大于所述第一垂直定向半导体柱的所述顶表面的面积的面积，并且所述第二金属硅化物结构具有大于所述第二垂直定向半导体柱的所述顶表面的面积。
7.根据权利要求6所述的结构，其中，所述第一金属硅化物...
【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一垂直定向半导体柱与半导体衬底成一体。
3.根据权利要求2所述的结构，还包括：
4.根据权利要求3所述的结构，还包括：
5.根据权利要求4所述的结构，其中，所述第一电介质插塞包括氮化硅。
6.根据权利要求3所述的结构，其中，所述第一金属硅化物结构具有大于所述第一垂直定向半导体柱的所述顶表面的面积的面积，并且所述第二金属硅化物结构具有大于所述第二垂直定向半导体柱的所述顶表面的面积。
7.根据权利要求6所述的结构，其中，所述第一金属硅化物结构具有小于所述第一垂直定向半导体柱的电阻率的电阻率，并且所述第二金属硅化物结构具有小于所述第二垂直定向半导体柱的电阻率的电阻率。
8.根据权利要求3所述的结构，第一电介质插塞设置在所述第一电介质材料上。
9.一种结构，包括：
10.根据权利要求9所述的结构，还包括：
11.根据权利要求10所述的结构，其中，所述第一衬层包括所述第一电介质材料，并且所述第二衬层包括所述第二电介质材料。
12.根据权利要求11所述的结构，其中，所述第一电介质材料包括氧化硅，并且所述第二电介质材料包括氮化硅。
13.根据权利要求10所述的结构，其中，所述第二衬层包围气隙。
14.根据权利要求10所述的结构，还包括：
15.一种结构，包括：
16.根据权利要求15所述的结构，其中，所述第一垂直定向栅极结构包括栅极电介质和栅极电极，所述电介质衬层包括氧化硅，并且电介质插塞设置在所述第一金属硅化物结构与所述第二金属硅化物结构之间。
17.根据权利要求16所述的结构，其中，所述电介质插塞包括氮化硅。
18.根据权利要求15所述的结构，还包括气隙密封器结构。
19.根据权利要求18所述的结构，其中，所述气隙密封器结构包括氮化硅。
20.根据权利要求15所述的结构，还包括具有顶表面的半导体柱，并且所述半导体柱的所述顶表面的面积小于所述第二金属硅化物结构的所述顶表面的面积。
21.一种存储器系统，包括：
22.根据权利要求21所述的存储器系统，其中，所述存储器器件包括多个存储器单元，并且所述多个存储器单元中的每个存储器单元包括至少一个垂直定向栅极结构。
23...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐文祥，刘藩东，华文宇，汪亚，宋冬门，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。