【技术实现步骤摘要】
示例实施例涉及等离子体处理设备、晶片至晶片接合系统和晶片至晶片接合方法。更具体地，示例实施例涉及在将晶片彼此接合的晶片接合处理之前对晶片表面执行等离子体处理的等离子体处理设备、包括等离子体处理设备的晶片接合系统以及使用晶片接合系统的晶片接合方法。
技术介绍
1、在制造电子产品(诸如，以cmos图像传感器(cis)、高带宽存储器(hbm)等为例)时，两个晶片可被彼此接合，这可有助于半导体线宽的小型化，通过应用3d互连结构来提高性能，并增加每个晶片的良率。晶片至晶片接合处理可包括例如等离子体激活步骤、水合步骤、晶片对准步骤、晶片接合步骤、退火步骤等。在其中执行等离子体激活步骤的等离子体处理设备可通过使用装载锁定腔室而始终将等离子体处理腔室保持在真空状态下来提高生产率。
技术实现思路
1、示例实施例提供了一种能够增加晶片接合强度并抑制随时间的变化的等离子体处理设备。
2、示例实施例提供了一种包括等离子体处理设备的晶片接合系统。
3、示例实施例提供了一种使用晶片接合系统的晶片接合方法。
4、根据示例实施例，一种等离子体处理设备包括：装载锁定腔室，能够在大气压力状态与真空压力状态之间切换；以及基底处理设备，被配置为：将基底传送到装载锁定腔室和从装载锁定腔室传送基底，并且在真空环境下在等离子体腔室中对基底的表面执行等离子体处理。基底处理设备包括：基底载台，设置在等离子体腔室内并且被配置为支撑基底；等离子气体供应器，被配置为将等离子气体供应到等离子体腔室中；蒸
5、根据示例实施例，一种等离子体处理设备包括：基底传送装置，被配置为在大气压力下传送基底；基底处理设备，被配置为在真空环境下在等离子体腔室中对基底的表面执行等离子体处理；装载锁定腔室，被配置为在基底传送装置与基底处理设备之间传送基底，装载锁定腔室能够在大气压力状态与真空压力状态之间切换；真空传送模块，被配置为在真空环境下在装载锁定腔室与基底处理设备之间传送基底；以及蒸汽供应器，被配置为将水蒸气供应到等离子体腔室中。
6、根据示例实施例，一种等离子体处理设备包括：基底传送装置，被配置为在大气压力下从分度模块传送晶片；基底处理设备，被配置为在真空环境下在等离子体腔室中对每个晶片的表面执行等离子体处理；装载锁定腔室，被配置为在基底传送装置与基底处理设备之间传送每个晶片，装载锁定腔室能够在大气压力状态与真空压力状态之间切换；真空传送模块，被配置为在真空环境下在装载锁定腔室与基底处理设备之间传送每个晶片；清洁设备，被配置为在由基底处理设备进行等离子体处理之后清洁每个晶片的表面；以及晶片接合设备，被配置为将清洁后的晶片彼此接合。基底处理设备包括：蒸汽供应器，被配置为将水蒸气供应到等离子体腔室中。
7、根据示例实施例，在一种晶片接合方法中，在大气压力下将晶片装载到装载锁定腔室中。将装载锁定腔室转换到真空压力状态。将水蒸气供应到连接到装载锁定腔室的等离子体腔室中。将晶片装载到等离子体腔室中。在等离子体腔室中生成等离子体以对晶片执行等离子体处理。将晶片从等离子体腔室卸载到装载锁定腔室。
8、根据示例实施例，一种晶片接合系统的等离子体处理设备可包括：载锁定腔室，能够在大气压力状态与真空压力状态之间切换；以及基底处理设备，被配置为：将基底传送到装载锁定腔室和从装载锁定腔室传送基底，并且在真空环境下在等离子体腔室中对基底的表面执行等离子体处理。基底处理设备包括：蒸汽供应器，被配置为将水蒸气供应到等离子体腔室中。
9、蒸汽供应器可在等离子体被生成在等离子体腔室中之前或在等离子体被生成在等离子体腔室中时将水蒸气供应到等离子体腔室中。因此，即使等离子体腔室总是保持在真空状态，也可增加和保持通过将等离子体腔室中的水分保持在特定水平以上而生成的oh自由基的量。因此，可增加等离子体处理后的晶片之间的接合强度，并且可抑制根据处理时间的流逝的等离子体腔室内部的老化变化，这可防止或减少晶片之间的接合强度随时间的降低。
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1.一种等离子体处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，在基底被装载到等离子体腔室中之前，蒸汽供应器将水蒸气供应到等离子体腔室中。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，在等离子体被生成在等离子体腔室中之前，蒸汽供应器将水蒸气供应到等离子体腔室中。
4.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，蒸汽供应器供应水蒸气，并且等离子气体供应器同时供应等离子气体。
5.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，蒸汽供应器包括：
6.根据权利要求5所述的等离子体处理设备，其中，蒸汽供应器还包括：
7.根据权利要求5所述的等离子体处理设备，其中，蒸汽供应器还包括：
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的等离子体处理设备，还包括：
9.根据权利要求8所述的等离子体处理设备，其中，真空传送模块包括：传送臂，被配置为传送基底。
10.根据权利要求8所述的等离子体处理设备，其中，真空传送模块维持真空压力状态并与装载锁定腔室连通。
11.一种等
12.根据权利要求11所述的等离子体处理设备，其中，当装载锁定腔室处于真空压力状态时，真空传送模块被减压至真空状态并与装载锁定腔室连通。
13.根据权利要求11所述的等离子体处理设备，其中，在基底被装载到等离子体腔室中之前，蒸汽供应器将水蒸气供应到等离子体腔室中。
14.根据权利要求11所述的等离子体处理设备，其中，在等离子体被生成在等离子体腔室中之前，蒸汽供应器将水蒸气供应到等离子体腔室中。
15.根据权利要求11所述的等离子体处理设备，其中，当等离子体被生成在等离子体腔室中时，蒸汽供应器将水蒸气供应到等离子体腔室中。
16.根据权利要求11所述的等离子体处理设备，其中，蒸汽供应器包括：
17.根据权利要求16所述的等离子体处理设备，其中，蒸汽供应器还包括：
18.根据权利要求16所述的等离子体处理设备，其中，蒸汽供应器还包括：
19.根据权利要求11至18中的任一项所述的等离子体处理设备，还包括：
20.一种等离子体处理设备，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，在基底被装载到等离子体腔室中之前，蒸汽供应器将水蒸气供应到等离子体腔室中。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，在等离子体被生成在等离子体腔室中之前，蒸汽供应器将水蒸气供应到等离子体腔室中。
4.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，蒸汽供应器供应水蒸气，并且等离子气体供应器同时供应等离子气体。
5.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，蒸汽供应器包括：
6.根据权利要求5所述的等离子体处理设备，其中，蒸汽供应器还包括：
7.根据权利要求5所述的等离子体处理设备，其中，蒸汽供应器还包括：
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的等离子体处理设备，还包括：
9.根据权利要求8所述的等离子体处理设备，其中，真空传送模块包括：传送臂，被配置为传送基底。
10.根据权利要求8所述的等离子体处理设备，其中，真空传送模块维持真空压力状态并与装载锁定腔室连通。
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【专利技术属性】
技术研发人员：李庸仁，申东甲，金祐永，文范基，文智媛，白寅华，石承大，禹时雄，张世训，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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