【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体发光元件及其制造方法，以及一种半导体元件及其制造方 法，更特别地，其适用于使用Ag(Ag)电极的半导体发光元件，例如发光二极管。
技术介绍
在使用GaN系半导体等的发光二极管中，在很多情况下，使用Ag电极作为在半导 体层中形成的电极，然而，Ag电极有以下问题。1.纯Ag基本上对氧化和硫化的耐性较低(容易与氧和硫发生反应)。从而，纯Ag 易受到从暴露环境中摄取氧和硫的影响，其反射率劣化。尤其是，利用真空蒸发法形成并且 通常用于电极形成的Ag膜由于Ag膜中形成的晶界结构的缺陷而更显著地劣化。2. Ag膜具有低的耐热性。因此，即使在约300°C至400°C下进行加热时，其光特性 和电特性也容易发生改变。3.尽管Ag是难离子化(电离)的贵金属，但如后所述，水分存在时Ag被离子化， 离子化的Ag迁移从而导致器件的失效。4.尽管GaN系发光二极管通常用树脂封装，但经常观察到在树脂中包含少量水分 和硫从而导致GaN系发光二极管的特性劣化的情况。图11示出了现有的GaN系发光二极管的结构的实例。如图11所示，Ag电极102 形成为接触包括η型半导体层、活...
【技术保护点】
一种半导体发光元件的制造方法，包括以下步骤：形成厚度为一个原子层以上１０ｎｍ以下的Ｎｉ薄膜，使得与形成发光元件结构的半导体层接触；以及在所述Ｎｉ薄膜上形成Ａｇ电极。
【技术特征摘要】
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