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本发明公开了一种半导体发光元件及其制造方法，以及一种半导体元件及其制造方法，其中，该半导体发光元件的制造方法包括以下步骤：形成厚度为一个原子层以上１０ｎｍ以下的Ｎｉ薄膜，使得与形成发光元件结构的半导体层接触；以及在Ｎｉ薄膜上形成Ａｇ电极。...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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