电子器件封装和制造电子器件封装的方法技术

本申请案涉及一种电子器件封装和制造电子器件封装的方法。所述电子器件封装包括基底１１０，基底１１０具有第一表面１１０ａ和与所述第一表面相对的第二表面１１０ｂ。电子器件１２０、１３０形成于所述第一表面１１０ａ上。隔离层１４０延伸至所述电子器件的至少一部分的顶部表面。具有一个或一个以上Ｉ／Ｏ线的再分布层１４５延伸至所述隔离层和所述电子器件的所述顶部表面。所述ＲＤＬ层将所述电子器件连接到穿过所述基底１１０到达其所述第二表面１１０ｂ的一个或一个以上第一通孔１６０。所述电子器件可以是图像传感器。微透镜２２０和保护性聚对二甲苯层２３０可制造在所述图像传感器上。还揭示一种制造所述电子器件封装的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子器件封装和一种制造所述电子器件封装的方法。所述电子器 件封装优选地包括集成电路；其可例如包括图像传感器或MEMS器件。
技术介绍
图1展示常规CMOS图像传感器(CIS)封装。所述封装包括陶瓷基底2和安装在 基底上的集成电路(IC)3。粘合剂层4形成于IC 3与基底2之间。焊垫6形成于IC 3的 上表面上，且通过线7连接到基底的上表面上的焊垫8。光学交互元件5 (例如，光电二极 管)形成于IC 3的顶部上。所述布置封闭在框架10中，所述框架10具有用于将光聚焦于 光学交互元件5上的透镜9。图2展示使用微透镜和玻璃罩的经改进的现有技术CIS封装。其有时称为TSV布 置(硅通孔)，因为其具有延伸穿过硅基底的通孔。如图2所示，存在硅基底23，且集成电路 (IC) 21定位于基底23的顶部表面上。多个微透镜22制造于IC 21的光学交互区域上。IC 21的侧边缘将IC的I/O连接到再分布层(RDL) 25。再分布层将IC连接到硅通孔(TSV) 26。 TSV 26从基底的顶部表面延伸到基底的底部表面，在所述底部表面处其连接到焊垫27。焊 垫27连接到焊料球28。聚合物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件封装，所述电子器件封装包括：基底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；电子器件，其形成于所述基底的所述第一表面上；隔离层，其形成在所述电子器件的顶部表面的至少一部分上；一个或一个以上Ｉ／Ｏ线，其连接到所述电子器件并延伸至所述隔离层和所述电子器件的所述顶部表面；以及一个或一个以上第一通孔，其穿过所述基底并将所述一个或一个以上Ｉ／Ｏ线连接到所述基底的所述第二表面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：史训清，杨丹，罗珮璁，
申请(专利权)人：香港应用科技研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：HK[中国|香港]