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本申请案涉及一种电子器件封装和制造电子器件封装的方法。所述电子器件封装包括基底110,基底110具有第一表面110a和与所述第一表面相对的第二表面110b。电子器件120、130形成于所述第一表面110a上。隔离层140延伸至所述电子器件的...该专利属于香港应用科技研究院有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过香港应用科技研究院有限公司授权不得商用。
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本申请案涉及一种电子器件封装和制造电子器件封装的方法。所述电子器件封装包括基底110,基底110具有第一表面110a和与所述第一表面相对的第二表面110b。电子器件120、130形成于所述第一表面110a上。隔离层140延伸至所述电子器件的...