基板处理方法技术

本发明专利技术构思提供了一种基板处理方法

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法


[0001]本文描述的本专利技术构思的实施例涉及基板处理方法，并且更具体地涉及用于通过向基板供应含聚合物液体来对基板进行液体处理的基板处理方法
。

技术介绍

[0002]为了制造半导体器件，会执行多种工艺，例如光刻工艺
、
沉积工艺
、
灰化工艺
、
蚀刻工艺和离子注入工艺等
。
另外，在这些工艺执行前后，执行清洁工艺以清洁基板上遗留的颗粒
。
[0003]清洁工艺包括：将化学品供应至由旋转头支撑和旋转的基板，向该基板供应清洁液体诸如去离子水
(DIW)
以从该基板去除化学品，然后向基板供应表面张力低于清洁液体的有机溶剂诸如异丙醇液体以将基板上的清洁液体替换为有机溶剂，并且从基板去除替换的有机溶剂
。
[0004]另外，清洁工艺可以包括将包含聚合物和溶剂的处理液体供应到基板上的过程
。
一旦包含挥发性组分的该溶剂挥发后，聚合物由于处理液体的体积变化而固化并且吸附颗粒
。
此后，利用去离子水将吸附了颗粒后的聚合物从基板剥离，然后用有机溶剂例如
IPA
再次清洁该基板
。
[0005]此时，当包含溶剂的处理液体供应到基板上时，处理液体不能充分到达该基板上形成的精细图案之间，因此未能从那里恰当地去除颗粒
。
为了解决该问题，可以增加所供应的处理液体的量，但这会造成处理液体的浪费并且对于去除颗粒方面没有显著效果r/>。

技术实现思路

[0006]本专利技术构思的实施例提供了用于提高清洁效率的基板处理方法
。
[0007]本专利技术构思提供了用于降低所使用的处理液体的量的基板处理方法
。
[0008]本专利技术构思的实施例提供了用于使处理液体在基板上形成的图案之间通过的基板处理方法
。
[0009]本专利技术构思的技术目的不限于以上所述，并且本领域技术人员从以下说明中将容易明白未提及的其它技术目的
。
[0010]本专利技术构思提供了一种基板处理方法
。
该基板处理方法包括：将溶解液供应到旋转的基板上；以及在供应溶解液后，将包含聚合物的处理液体供应到旋转的基板上以形成液体膜
。
[0011]在一实施例中，溶解液在室温或更高温度下供应
。
[0012]在一实施例中，溶解液以该溶解液的沸点或更低温度提供
。
[0013]在一实施例中，在溶解液被供应到旋转的基板上期间，旋转的基板的转速发生变化
。
[0014]在一实施例中，在溶解液被供应到旋转的基板上期间，旋转的基板的转速阶梯式降低
。
[0015]在一实施例中，在溶解液被供应到旋转的基板上期间，旋转的基板的转速逐渐降低
。
[0016]在一实施例中，基板处理方法还包括：通过在保持基板旋转的同时停止供应处理液体，使液体膜固化
。
[0017]在一实施例中，溶解液包括有机溶剂，并且聚合物包括树脂
。
[0018]本专利技术构思提供一种基板处理方法
。
该基板处理方法包括：将溶解液供应到旋转的基板上；以及将包含聚合物的处理液体供应到旋转的基板上，其中该溶解液包含有机溶剂
。
[0019]在一实施例中，供应溶解液包括：在室温或更高温度下以及在溶解液的沸点或更低温度下供应溶解液
。
[0020]在一实施例中，旋转的基板在供应处理液体期间以第二速度旋转，并在供应溶解液期间以第一速度旋转，并且第二速度快于第一速度
。
[0021]在一实施例中，在所述供应溶解液期间，旋转的基板的转速阶梯式降低
。
[0022]在一实施例中，在所述供应溶解液期间，旋转的基板的转速逐渐降低
。
[0023]在一实施例中，基板处理方法还包括：通过在保持基板旋转的同时停止供应处理液体，使处理液体的液体膜固化
。
[0024]在一实施例中，基板处理方法还包括：在使处理液体的液体膜固化后，通过将剥离液体供应到旋转的基板上，从该基板剥离固化的液体膜；在剥离固化的液体膜后，将冲洗液供应到旋转的基板上以清洁该基板上的残余物；以及通过在保持基板旋转的同时停止供应冲洗液来将基板干燥
。
[0025]在一实施例中，聚合物包括树脂
。
[0026]在一实施例中，剥离液体是去离子水，并且冲洗液是有机溶剂
。
[0027]本专利技术构思提供了一种基板处理方法
。
该基板处理方法包括：将溶解液供应到旋转的基板上；将包含聚合物的处理液体供应到旋转的基板上以形成处理液体的液体膜；通过在保持基板旋转的同时停止供应处理液体，使液体膜固化；将剥离液体供应到旋转的基板上以从该基板剥离固化的液体膜；将冲洗液供应到旋转的基板上以清洁该基板上的残余物；以及通过在保持基板旋转的同时停止供应冲洗液来将基板干燥，并且其中聚合物包括树脂并且溶解液是有机溶剂
。
[0028]在一实施例中，在供应处理液体期间，基板以第二速度旋转，且在供应溶解液期间，基板以第一速度旋转，并且第二速度快于第一速度
。
[0029]在一实施例中，在供应所述溶解液期间，基板的转速以阶梯式降低
。
[0030]根据本专利技术构思的实施例，基板的清洁效率可以提高
。
[0031]根据本专利技术构思的实施例，所使用的处理液体的量可以减少
。
[0032]根据本专利技术构思的实施例，处理液体可以在基板上形成的图案之间通过
。
[0033]本专利技术构思的效果不限于以上所述的效果，并且本领域技术人员从以下说明中将容易明白未提及的其它效果
。
附图说明
[0034]参考以下附图，从以下说明中将会明白以上及其它目的和特征，其中，除非另有说
明，否则在所有各附图中类似的标号指代类似的部件，在附图中：
[0035]图1是示意性示出了根据本专利技术构思的实施例的基板处理装置的平面图
。
[0036]图2示意性示出了图1中的液体处理室的实施例
。
[0037]图3是本专利技术构思的基板处理方法的流程图
。
[0038]图4至图
19
各自依次示出了根据所述基板处理方法来处理基板的状态以及根据本专利技术构思的基板处理方法的被处理基板的状态
。
具体实施方式
[0039]本专利技术构思可进行各种修改且可以具有各种形式，并且其具体实施例将在附图中示出并进行具体描述
。
但是，根据本专利技术构思的实施例并非旨在限制所公开的特定形式
。
这些实施例被提供用于向本领域普通技术人员更加完整地解释本专利技术构思
。
因此，附图中部件的形式被夸大以重点突出更加清楚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种基板处理方法，包括：将溶解液供应到旋转的基板上，以及在供应所述溶解液后，将包含聚合物的处理液体供应到所述旋转的基板上以形成液体膜
。2.
根据权利要求1所述的基板处理方法，其中所述溶解液在室温或更高温度下供应
。3.
根据权利要求2所述的基板处理方法，其中所述溶解液以所述溶解液的沸点或更低温度提供
。4.
根据权利要求1所述的基板处理方法，其中在所述溶解液被供应到所述旋转的基板上期间，所述旋转的基板的转速发生变化
。5.
根据权利要求4所述的基板处理方法，其中在所述溶解液被供应到所述旋转的基板上期间，所述旋转的基板的转速阶梯式降低
。6.
根据权利要求1所述的基板处理方法，其中在所述溶解液被供应到所述旋转的基板上期间，所述旋转的基板的转速逐渐降低
。7.
根据权利要求1所述的基板处理方法，还包括：通过在保持所述基板旋转的同时停止供应所述处理液体，使所述液体膜固化
。8.
根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理方法，其中，所述溶解液包括有机溶剂，并且所述聚合物包括树脂
。9.
一种基板处理方法，包括：将溶解液供应到旋转的基板上；以及将包含聚合物的处理液体供应到所述旋转的基板上，其中所述溶解液包含有机溶剂
。10.
根据权利要求9所述的基板处理方法，所述供应溶解液包括：在室温或更高温度下以及在所述溶解液的沸点或更低温度下供应所述溶解液
。11.
根据权利要求9所述的基板处理方法，其中所述旋转的基板在所述供应处理液体期间以第二速度旋转，并在供应所述溶解液期间以第一速度旋转，并且所述第二速度快于所述第一速度
。12.
根据权利要求9所述的基板处理方法，其中在所述供应溶解液期间，所述旋转的基板的转速阶梯式降低
。13.
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李炅珉，金兑根，赵旼熙，姜元荣，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：