【技术实现步骤摘要】
晶圆处理设备和半导体制造设备
[0001]本公开涉及半导体制造领域,并且更具体地涉及一种晶圆处理设备和半导体制造设备
。
技术介绍
[0002]湿法清洗和干燥工艺是半导体制造流程中的重要环节,对提升芯片性能和良率具有至关重要的影响
。
传统湿法清洗和干燥工艺的晶圆处理设备如图1所示
。
晶圆
20
’
固定在可旋转卡盘
10
’
上,并跟随卡盘
10
’
转动
。
卡盘
10
’
上方配置有干燥喷嘴
21
’
、
氮气喷嘴
22
’
和药液喷嘴
23
’
。
化学药液从药液喷嘴
23
’
中流出,在旋转卡盘
10
’
的离心作用下,被均匀分配在晶圆
20
’
表面,从而实现对晶圆
20
’
的湿法清洗或刻蚀
。
干燥液体从干燥喷嘴
21
’
中流出,将药液冲刷干净
。
氮气喷嘴
22
’
喷出氮气,使干燥液体蒸发,实现对晶圆
20
’
的干燥
。
[0003]在摩尔定律的驱动下,芯片集成度不断提高,单个晶体管的特征尺寸不断缩小,器件结构的深宽比持续增大,给半导体制造流程 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.
一种晶圆处理设备
(100)
,其特征在于,包括:晶圆支撑器件
(10)
,被构造成支撑所述晶圆
(20)
;以及光源阵列
(40)
,被定位在所述晶圆
(20)
的支撑侧方向上,并且适于对所述晶圆
(20)
进行光辐射加热;其中所述光源阵列
(40)
被配置成向所述晶圆
(20)
的位于所述支撑侧的表面投射用于所述光辐射加热的多个光斑,使得至少在所述晶圆
(20)
的径向方向上的所有多个光斑彼此邻近且互不重叠
。2.
根据权利要求1所述的晶圆处理设备
(100)
,其特征在于,在所述晶圆
(20)
的所述表面上的所述多个光斑形成多个同心环区域
(C1
‑
Cn)
,所述多个同心环区域彼此邻近且互不重叠,所述多个同心环区域的共同圆心在所述晶圆的圆心处
。3.
根据权利要求2所述的晶圆处理设备
(100)
,其特征在于,任意两个相邻的同心环区域具有共享边界线,所述共享边界线分别与所述任意两个相邻的同心环区域内的光斑相切
。4.
根据权利要求2‑3中任一项所述的晶圆处理设备
(100)
,其特征在于,每个同心环区域内的光斑以不重叠的方式来排布
。5.
根据权利要求2‑4中任一项所述的晶圆处理设备
(100)
,其特征在于,随着所述同心环区域距离所述晶圆
(20)
的圆心越远,所述同心环区域上所对应的光斑数目越多
。6.
根据权利要求2‑5中任一项所述的晶圆处理设备
(100)
,其特征在于,所述多个光斑的形状和尺寸彼此相同
。7.
根据权利要求6所述的晶圆处理设备
(100)
,其特征在于,所述多个同心环区域
(C1
‑
Cn)
的数目
N
=
R0/D0,其中
R0为所述晶圆
(20)
的半径,
D0为所述光斑在所述晶圆
(20)
的所述径向方向上的尺寸
。8.
根据权利要求6所述的晶圆处理设备
(100)
,其特征在于,每个同心环区域上的光斑的数目
M
=2π
/
α
,其中
α
为相邻光斑的各自中心在对应的同心环区域的圆周上的距离所对应的圆心角
。9.
根据权利要求1‑8中任一项所述的晶圆处理设备
(100)
,其特征在于,所述光源阵列
技术研发人员:牛奔,王建军,罗丛德,张亮,徐振华,
申请(专利权)人:华为技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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