用于处理基板的设备制造技术

本发明专利技术构思提供了一种基板处理设备

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的设备


[0001]本文描述的本专利技术构思的实施例涉及一种基板处理设备，并且更具体地涉及一种用于将液体供应到旋转基板上的基板处理设备
。

技术介绍

[0002]为了制造半导体器件，执行各种工艺，诸如清洗工艺
、
沉积工艺
、
光刻工艺
、
蚀刻工艺和离子注入工艺
。
在这些工艺中，光刻工艺包括通过在基板的表面上施加诸如光致抗蚀剂的光敏液体来形成膜的涂覆工艺
、
使用限定电路图案的光掩模对光致抗蚀剂膜进行曝光的曝光工艺，以及选择性地移除在基板上形成的光致抗蚀剂膜的曝光或未曝光区域的显影工艺
。
[0003]图1是示意性地示出用于将光致抗蚀剂施加到基板的基板处理设备1的视图
。
参考图1，基板处理设备1包括具有内部空间的处理容器
10、
用于将基板
W
支撑在内部空间中的支撑单元
20
，以及用于将处理液体
82
供应到放置于支撑单元
20
上的基板
W
上的喷嘴
30。
处理容器
10
具有外杯
12
和内杯
14。
另外，用于将向下气流供应到内部空间的风扇过滤单元
(
未示出
)
设置在处理容器
10
的上方，并且用于排放处理液体的排放管
60
和用于排出处理空间内的大气的排气管
70
连接到处理容器
10。
[0004]当在具有图1所示的结构的基板处理设备1处向处于旋转状态的基板
W
供应处理液体
82
的情况下处理基板
W
时，气流
84
沿着基板
W
的旋转方向在基板
W
的表面处因离心力而从基板
W
的中心流到边缘，如图2所示
。
此后，如图3所示，前述气流
84
与外杯
12
碰撞并且然后向下流动以通过排气管
70
从内部空间排放到外部
。
此时，由于气流
84
从水平方向变成竖直方向，因此气流
84
与外杯
12
碰撞并且在那个点处产生涡流
。
气流
84
在产生涡流的点处停滞，并且相应地，无法顺利地执行内部空间内的排气
。
这个问题在基板
W
的旋转速度增加时进一步加剧
。
[0005]如上所述，当在基板
W
上形成处理液体
82
的膜时，在碰撞点处的涡流的产生和气流的停滞会阻碍气流在基板
W
的边缘区域处的流动，并且因此在基板
W
的边缘区域中的薄膜的厚度被形成为比在基板
W
的中心区域处的薄膜的厚度更厚
。
另外，诸如烟雾的污染物因上述碰撞点处的涡流而流回到基板
W
上，从而在基板
W
上造成污染
。

技术实现思路

[0006]本专利技术构思的实施例提供了一种用于提高基板处理效率的基板处理设备
。
[0007]本专利技术构思的实施例提供了一种用于在通过将处理液体供应到处理空间处的旋转基板上来处理基板时
、
有效地排出处理空间内的气流的基板处理设备
。
[0008]本专利技术构思的实施例提供了一种用于在通过将处理液体供应到旋转基板来形成液膜时
、
在基板的整个区域均匀地提供液膜厚度的基板处理设备
。
[0009]本专利技术构思的实施例提供了一种用于在通过将处理液体供应到旋转基板来处理基板时
、
防止污染物再吸附到基板的基板处理设备
。
[0010]本专利技术构思的技术目的不限于上述目的，并且根据以下描述，其他未提及的技术目的对于本领域技术人员而言将变得显而易见
。
[0011]本专利技术构思提供了一种基板处理设备
。
所述基板处理设备包括：处理容器，所述处理容器具有内部空间；支撑单元，所述支撑单元被配置为在所述内部空间内支撑并旋转基板；排气管道，所述排气管道被配置使对所述内部空间排气；以及至少一个引导构件，所述至少一个引导构件与所述处理容器组合并且被配置为引导所述内部空间内的气流，并且其中所述至少一个引导构件被布置为使得当从上方观察时，所述内部空间内的所述气流相对于由所述支撑单元支撑的所述基板的旋转方向倾斜地流动
。
[0012]在实施例中，所述至少一个引导构件中的每一个包括：联接部分，所述联接部分被配置为与所述处理容器组合；以及从所述联接部分延伸的延伸部分，所述延伸部分沿着从顶部到底部的方向设置，使得所述延伸部分的纵向方向相对于所述基板的切向方向具有预定的角度
。
[0013]在实施例中，所述联接部分的一端与所述处理容器结合
。
[0014]在实施例中，所述角度是
45
度
。
[0015]在实施例中，所述至少一个引导构件中的每一个还包括铰链销，所述铰链销被配置为在所述延伸部分的中间点处将所述延伸部分与所述处理容器结合，并且其中所述延伸部分还包括：固定部分，所述固定部分设置在所述铰链销上方并且被配置为固定到所述处理容器；以及旋转部分，所述旋转部分设置在所述铰链销下方并且被配置为基于所述铰链销进行旋转
。
[0016]在实施例中，内杯包括止动件，所述止动件被配置为限制所述旋转部分的旋转角度，因此所述旋转部分在所述基板的切向方向与垂直于所述基板的方向之间旋转
。
[0017]在实施例中，所述基板处理设备还包括：风扇单元，所述风扇单元被配置为将向下气流供应到所述内部空间中；以及喷嘴，所述喷嘴被配置为将处理液体供应到由所述支撑单元支撑的基板
。
[0018]在实施例中，所述至少一个引导构件包括沿着由所述支撑单元支撑的基板的周向方向间隔开的多个引导构件
。
[0019]本专利技术构思提供了一种基板处理设备
。
所述基板处理设备包括：处理容器，所述处理容器具有内部空间；支撑单元，所述支撑单元被配置为在所述内部空间内支撑并旋转基板；排气管道，所述排气管道被配置为使所述内部空间内的气流排出；以及引导构件，所述引导构件与所述处理容器组合并且被配置为引导所述内部空间内的所述气流，并且其中设有多个的所述引导构件相邻地设置，以相对于由所述支撑单元支撑的所述基板的切向方向倾斜，并且其中所述引导构件被设置为使其纵向方向在从顶部到底部的方向上，其中所述处理容器包括：外杯，所述外杯具有带有开放的顶部的内部空间；以及内杯，所述内杯设置在所述内部空间内，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种基板处理设备，其包括：处理容器，所述处理容器具有内部空间；支撑单元，所述支撑单元被配置为在所述内部空间内支撑并旋转基板；排气管道，所述排气管道被配置为使所述内部空间排气；以及至少一个引导构件，所述至少一个引导构件与所述处理容器组合并且被配置为引导所述内部空间内的气流，并且其中所述至少一个引导构件被布置为使得当从上方观察时，所述内部空间内的所述气流相对于由所述支撑单元支撑的所述基板的旋转方向倾斜地流动
。2.
根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述至少一个引导构件中的每一个包括：联接部分，所述联接部分被配置为与所述处理容器组合；以及从所述联接部分延伸的延伸部分，所述延伸部分沿着从顶部到底部的方向设置，使得所述延伸部分的纵向方向相对于所述基板的切向方向具有预定的角度
。3.
根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述联接部分的一端与所述处理容器结合
。4.
根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述角度是
45
度
。5.
根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述至少一个引导构件中的每一个还包括铰链销，所述铰链销被配置为在所述延伸部分的中间点处将所述延伸部分与所述处理容器结合，并且其中所述延伸部分还包括：固定部分，所述固定部分设置在所述铰链销上方并且被配置为固定到所述处理容器；以及旋转部分，所述旋转部分设置在所述铰链销下方并且被配置为基于所述铰链销进行旋转
。6.
根据权利要求5所述的基板处理设备，其中内杯包括止动件，所述止动件被配置为限制所述旋转部分的旋转角度，因此所述旋转部分在所述基板的切向方向与垂直于所述基板的方向之间旋转
。7.
根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理设备，还包括：风扇单元，所述风扇单元被配置为将向下气流供应到所述内部空间中；以及喷嘴，所述喷嘴被配置为将处理液体供应到由所述支撑单元支撑的基板
。8.
根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理设备，其中所述至少一个引导构件包括沿着由所述支撑单元支撑的基板的周向方向间隔开的多个引导构件
。9.
一种基板处理设备，其包括：处理容器，所述处理容器具有内部空间；支撑单元，所述支撑单元被配置为在所述内部空间内支撑并旋转基板；排气管道，所述排气管道被配置为使所述内部空间内的气流排出；以及引导构件，所述引导构件与所述处理容器组合并且被配置为引导所述内部空间内的所述气流，并且其中设有多个的所述引导构件相邻地设置，以相对于由所述支撑单元支撑的所述基板的切向方向倾斜，并且
其中所述引导构件被设置为使其纵向方向在从顶部到底部的方向上，其中所述处理容器包括：外杯，所述外杯具有带有开放的顶部的内部空间；以及内杯，所述内杯设置在所述内部空...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁宣旭，严基象，崔晋镐，崔炳斗，安熙满，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：