【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电力电子
，特别是含有多层金属电极的一种电力半导体 器件。
技术介绍
电力半导体器件是能承受较高电压和或较大电流的半导体产品。目前，电力半导 体器件大多以硅单晶为基片，通过扩散等生产工艺后在硅片内按照设计形成一个或数个PN 结，但硅是一种非金属半导体，不易与外界电路相连。传统电力半导体器件外引线与硅片连 接是通过硅片表面制备的金属层电极相连。通常根据器件的结构采用两种方式，即焊接式 和压接式。焊接式用化学镀镍工艺使硅片表面形成一镍层电极，再采用铅锡等焊料与外部 引线焊接相连；压接式采用铝烧结和蒸发工艺在硅片的阳极面用铝与钼片烧结，阴极面上 蒸发一铝层电极，然后与外压块相连。中小功率器件电流较小，硅片面积小，一般采用焊接 式连接；大功率器件工作电流大，硅片面积大，为避免应力影响器件性能，一般用压接式连 接。但是，上述通过化学镀镍或铝蒸发使硅片表面形成的电极都还存在有以下缺点1.上述的镍层电极，由于硅镍合金容易引起硅片内部应力加大，可靠性差，特别是 较大面积硅片合金时引起应力和形变较大，易导致硅片裂开，使器件失效。2.铝蒸发形成的电极，由于蒸铝器件在工作过程中存在铝迁移现象，器件阴极蒸 上去的铝层在工作过程中会逐渐消失，影响器件可靠性和寿命。
技术实现思路
本技术为解决上述现有技术电力半导体器件中硅片电极面金属电极存在的 问题，提出一种改善的电力半导体器件，改变其硅片电极面金属电极结构，使器件可靠性、 通态能力和使用寿命增加。本技术解决上述问题采用的技术方案是一种电力半导体器件，包括底座、下衬底、硅片、上衬底和外引线，其特征是所述 硅片电极面设有...
【技术保护点】
一种电力半导体器件，包括底座、下衬底、硅片、上衬底和外引线，其特征是：所述硅片电极面设有钛镍银多层金属为电极，其中钛金属直接与硅片表面接触，镍金属夹接于钛银两金属层中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：项卫光，徐伟，
申请(专利权)人：浙江正邦电力电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：33[中国|浙江]
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