【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体分立器件的结构，具体地说，是一种制造成本低、生产工艺简单并且符合“无铅工艺”要求的半导体分立器件硅基板后的层状结构。
技术介绍
半导体分立器件在封装过程中，除了必需使硅基板后的衬底与封装材料粘合在一起外，还必需保证在粘合后，半导体分立器件仍保持良好的电性，所以必需尽量降低半导体分立器件与封装材料的接触电阻。如图2所示，这是一种已有半导体分立器件硅基板的层状结构示意图，在半导体分立器件以硅为本质材料制成的基板2的背部没有设置器件的一面21镀上一层高纯度Au，形成层状衬底结构22。高纯度Au能与半导体分立器件硅基板2形成良好的“接触”电阻，同时，硅与Au在363±2℃左右即可形成低熔点的“共晶”相而熔融。由此，其成型工艺如下，将封装支架加温至400℃左右，半导体分立器件硅基板后的Au可自动与封装材料粘合在一起，并形成良好的接触电阻。上述结构有以下缺点Au的价格昂贵，会增加半导体分立器件的成本，不利于产品的推广。如图3所示，这是另一种已有的半导体分立器件硅基板后的层状结构的示意图，其在半导体分立器件以硅为本质材料制成的基板3的背部没有设置器件的一面31...
【技术保护点】
一种直接焊接在半导体分立器件硅基板后的层状结构，所述半导体分立器件硅基板没有设置器件的一面上依次设置Ｔｉ或Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇ层状衬底，其特征在于：在所述Ａｇ层状衬底之后还依次设置有Ｓｎ层状衬底和第二Ａｇ层状衬底。
【技术特征摘要】
1.一种直接焊接在半导体分立器件硅基板后的层状结构，所述半导体分立器件硅基板没有设置器件的一面上依次设置T...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴纬国，
申请(专利权)人：珠海南科集成电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：44[中国|广东]
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