用于制造半导体分立器件的引线框架及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种用于制造半导体分立器件的引线框架及其制作方法，包括载片部（１）和多个管脚（２），所述的载片部（１）上设有凹槽（４），在所述的凹槽（４）内嵌入锡铅箔片（５）；其制作方法如下，先制作出引线框架的载片部（１）和多个管脚（２），所述的制作方法还包括以下步骤：ａ、采用冲压工艺，在载片部上冲压出一个凹槽（４）；ｂ、将锡铅材料薄片覆盖在凹槽（４）上，在凹槽（４）的正上方对正凹槽进行冲压，使锡铅箔片（５）与锡铅材料薄片相脱离并嵌入凹槽（４）内。采用本发明专利技术，在使用中节省了点锡的整个工艺，锡铅箔片熔化能铺展并充满整个凹槽，而且分布均匀，提升了成品的合格率，同时提高了半导体分立器件的生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体元件领域，具体讲是一种用于制造半导体分立器件的引线框架 及其制作方法。
技术介绍
引线框架是制造半导体分立器件的基本部件，如行业通用型号为T0-3P，T0-220, T0-25LT0-126的引线框架。如图1所示，现有技术的引线框架包括载片部1’和多个管脚 2’，所述的引线框架为一整体，部分型号的引线框架还包括有散热固定部3’(如T0-220)。 引线框架的基材为铜合金、铝合金或者铁合金。在产品使用过程中，需要在载片部上安装芯 片，一般在载片部上加上液态的锡铅溶料，行业称为点锡工艺，用以载片部和芯片粘结。但 在上述过程中，锡铅溶料在载片部上扩散很难完全并覆盖装载芯片所需要的面积，尤其当 载片部上带有金属表面氧化物或有机沾染物时，就更容易发生锡铅溶料铺展不开(会导致 虚焊)和铺展不均勻(会导致芯片粘结不平整)的情况，影响到引线框架和芯片间的牢固 结合，并最终影响分立器件的生产效率和合格率。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是，提供一种能使引线框架与芯片结合更牢固的用于制 造半导体分立器件的引线框架。本专利技术的技术解决方案是，提供以下结构的用于制造半导体分立器件的引线框 架，包括载片部和多个管脚，所述的载片部上设有凹槽，在所述的凹槽内嵌入锡铅箔片。采用以上结构后与现有技术相比，本专利技术具有以下优点采用本专利技术结构，在使用 中节省了点锡的整个工艺，其载片部上的锡铅箔片在安装芯片的过程中受热即能熔化，且 均勻的分布在凹槽内，此时再将芯片置于凹槽上方，载片部就能和芯片进行良好的结合，锡 铅溶料能铺展并充满整个凹槽，而且分布均勻，提升了成品的合格率，同时提高了半导体分 立器件的生产效率。作为改进，所述的锡铅箔片与凹槽大小相同，这样，在安装芯片时，锡铅箔片熔化 后既足以能够牢固地结合芯片，也不会从凹槽中溢出。作为改进，所述的凹槽的底面上设有网状刻线，因为锡铅箔片一般是通过冲压工 艺嵌入凹槽中的，在底面增加网状刻线后，能够使锡铅箔片部分挤压入网状刻线，使二者能 更牢固结合，防止锡铅箔片脱落；另外在安装芯片的过程中，对凹槽内的锡铅箔片加热后， 锡铅溶料通过网状刻线能够快速、均勻地布满凹槽，而且连接芯片后，硬化后的锡溶料嵌入 网状刻线，使得载片部与芯片连接更为牢固。作为改进，所述的网状刻线的网格为平行四边形，这种形状的网格更容易加工，也 方便锡铅溶料快速扩散并布满整个凹槽。作为改进，所述的嵌入凹槽内的锡铅箔片的上表面高于载片部的表面，这样，由于 在冲压时，将锡铅箔片嵌入凹槽所用的冲压的力量不宜过大，否则会损坏载片部的背面，此时锡铅箔片的上表面一般都略高于载片部的表面。作为改进，所述的载片部上还设有位于凹槽外侧的环状刻线，这样，在已经嵌入锡 铅箔片的凹槽外侧设有环状刻线，可以在冲压环状刻线的时候对凹槽和锡铅箔片产生挤 压，使凹槽和锡铅箔片内凹，使锡铅箔片牢牢地嵌在凹槽内。作为改进，所述的凹槽为方形，环状刻线也为方形，因为芯片一般是方形的，锡铅 溶料布满方形凹槽后，能使载片部与芯片结合更为饱满。本专利技术要解决的另一技术问题是，提供一种能使引线框架与芯片结合更牢固的用 于制造半导体分立器件的引线框架的制作方法。本专利技术的另一种技术解决方案是，提供一种用于制造半导体分立器件的引线框 架的制作方法，所述的引线框架包括包括载片部和多个管脚，所述的制作方法包括以下步 骤(a)采用冲压工艺，在载片部上冲压出一个凹槽；(b)将锡铅材料薄片覆盖在凹槽上，在凹槽的正上方对正凹槽进行冲压，使锡铅箔 片与锡铅材料薄片相脱离并嵌入凹槽内。采用以上结构和方法后与现有技术相比，本专利技术具有以下优点采用本专利技术方法， 能够制作出引线框架在使用中节省了点锡的整个工艺，其载片部上的锡铅箔片在安装芯片 的过程中受热即能熔化，且均勻的分布在凹槽内，此时再将芯片置于凹槽上方，载片部就能 和芯片进行良好的结合，锡铅溶料能铺展并充满整个凹槽，而且分布均勻，提高了半导体分 立器件的生产效率，同时提升了成品的合格率，采用冲压工艺，生产效率更高，锡铅箔片与 凹槽结合更牢固。作为改进，在步骤(a)之后，增加一道工序，在凹槽的底面冲压出网状刻线，在底 面增加网状刻线后，能够使锡铅箔片部分挤压入网状刻线，使二者能更牢固结合，防止锡铅 箔片脱落；另外在安装芯片的过程中，对凹槽内的锡铅箔片加热后，锡铅溶料通过网状刻线 能够快速、均勻地布满凹槽，而且连接芯片后，硬化后的锡溶料嵌入网状刻线，使得载片部 与芯片连接更为牢固。作为改进，步骤(b)之后，增加一道工序，在载片部上、已经嵌入锡铅箔片的凹槽 的外侧冲压出环状刻线，所述的环状刻线将整个凹槽围住，这样，可以在冲压环状刻线的时 候对凹槽和锡铅箔片产生挤压，使凹槽和锡铅箔片内凹，使锡铅箔片牢牢地嵌在凹槽内。附图说明图1为现有技术的用于制造半导体分立器件的引线框架的结构示意图。图2为本专利技术的用于制造半导体分立器件的功率引线框架的结构示意图(未装锡 铅箔片)。图3为图2中A-A剖面放大图。图4为本专利技术的用于制造半导体分立器件的功率引线框架的结构示意图(装上锡 铅箔片后)。图5为图4中A-A剖面放大图。图6为本专利技术的用于制造半导体分立器件的引线框架的制作方法的工序图。图7为图6中B的放大图。图8为冲压锡铅箔片的冲头、锡铅材料薄片和引线框架本体的位置关系图。图中所示1’、载片部，2’、管脚，3’、散热固定部，1、载片部，2、管脚，3、散热固定 部，4、凹槽，5、锡铅箔片，6、网状刻线，7、环状刻线，8、冲头，9、锡铅材料薄片，10、引线框架本体。具体实施例方式下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步说明如图2、图3所示，本专利技术的用于制造半导体分立器件的引线框架，包括载片部1、 多个管脚2以及散热固定部3。上述为以T0-220型号为基础的现有技术，还有一些型号是 没有散热固定部3的。所述的载片部1上设有凹槽4，所述的凹槽4内嵌入与凹槽4大小相同的锡铅箔片 5，所述的凹槽深度为0. 05mm，锡铅箔片5的厚度0. 1mm。所述的凹槽4的底面上设有网状刻线6，所述的网状刻线6的截面为V型，不仅加 强了锡铅箔片5和凹槽4的结合力，在安装芯片时，锡铅箔片5受热熔化后，更能顺利进入 V型网状刻线6，也便于扩散至整个凹槽。所述的载片部1上还设有位于凹槽4外侧的环状刻线7，所述的环状刻线7将整个 凹槽4围住。所述的凹槽4为方形凹槽，环状刻线7也为方形。所述的网状刻线6的网格为正方形，正方形是平行四边形的一种。本专利技术的用于制造半导体分立器件的引线框架的制作方法，所述的引线框架包括 包括载片部和多个管脚，所述的制作方法包括以下步骤(a)采用冲压工艺，在载片部上冲压出一个凹槽4，在加工过程中，一般采用整排 加工的，即多个引线框架本体是并排在一起的，冲压时将引线框架固定，然后采用与引线框 架一一对应的冲头对载片部进行冲压；所述的凹槽为方形凹槽；(b)将锡铅材料薄片覆盖在凹槽4上，在凹槽4的正上方对锡铅材料薄片冲压，使 和凹槽大小相同的锡铅箔片5与锡铅材料薄片相脱离并嵌入凹槽4中；所述的锡铅材料薄 片为锡铅箔片的原材料，由于多个引线框架本体是整排放置的，相互之间有一定的间隔，可 以将条状锡铅材料薄片覆盖在整排引线框架本体的凹槽上方，然后对锡铅材料薄片进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体分立器件的引线框架，包括载片部（１）和多个管脚（２），其特征在于：所述的载片部（１）上设有凹槽（４），在所述的凹槽（４）内嵌入锡铅箔片（５）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹光伟，
申请(专利权)人：宁波康强电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：97[中国|宁波]