Ⅲ族氮化物半导体的制造方法技术

一种制造ＩＩＩ族氮化物半导体的方法，所述方法包括：制备包括缓冲层的衬底；在所述缓冲层上通过ＭＯＣＶＤ由ＩＩＩ族氮化物半导体在掺杂反表面活性剂的同时形成第一层，其中所述第一层的厚度等于或小于２μｍ；在所述第一层上通过ＭＯＣＶＤ由ＩＩＩ族氮化物半导体在掺杂表面活性剂和反表面活性剂中至少其一的同时形成第二层；和通过在形成所述第二层期间调节所掺杂的表面活性剂和反表面活性剂的量来控制所述第二层的结晶品质和表面平坦性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及几乎没有穿透位错(threading dislocation)的高品质III族氮化物 半导体的制造方法。
技术介绍
III族氮化物半导体例如氮化镓(GaN)用作用于发光二极管(LED)和半导体激光 元件的材料。近来，III族氮化物半导体作为用于高频器件和高功率器件的材料引起了人 们的注意。为了 III族氮化物半导体的晶体生长，使用诸如蓝宝石衬底的异质型衬底。这类 异质型衬底具有与III族氮化物半导体不同的晶格常数。这种晶格常数失配在III族氮化 物半导体中引起大量的穿透位错。穿透位错使电流泄漏增大，并且使基于III族氮化物半 导体的发光器件的发光效率变差。近来，已经开发了降低穿透位错的数量且获得高品质III族氮化物半导体的技 术。这类相关技术的一个例子是JP-A-2003-17420。JP-A-2003-17420公开了一种晶体生 长方法，其中在通过掺杂反表面活性剂硅(Si)引发的III族氮化物半导体的岛式生长(三 维生长)之后，通过减少掺杂Si的量或停止Si掺杂来促进III族氮化物半导体的岛的合 并，从而引发二维生长。在III族氮化物半导体通过Si掺杂以三维生长的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造Ⅲ族氮化物半导体的方法，所述方法包括：制备包括缓冲层的衬底；在所述缓冲层上通过ＭＯＣＶＤ由掺杂有反表面活性剂的Ⅲ族氮化物半导体形成第一层，其中所述第一层的厚度等于或小于２μｍ；在所述第一层上通过ＭＯＣＶＤ由掺杂有表面活性剂和反表面活性剂中至少其一的Ⅲ族氮化物半导体形成第二层；和通过调节在形成所述第二层期间所掺杂的所述表面活性剂和所述反表面活性剂的量来控制所述第二层的结晶品质和表面平坦性。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：奥野浩司，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]