【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上广义上是关于IV族半导体的制造方法，尤其是在IV方矣半导体基底上形成外延层的方法。
技术介绍
外延通常是进行许多半导体林料高晶体质量生长的唯一实用方法，包括 工艺上重要的材料，诸如硅-锗、氮化镓、砷化纟斜Q磷化铟。外延通常是一种在 薄膜和基底之间的界面，并且通常描述在单晶基底上的有序晶体生长。 通常外延膜或层从气体或液体前体生长，其被沉积以使其晶格结构和取 向与基底晶格的相匹配。这与沉积多晶或非晶膜的其它薄膜沉积方法有显著的 不同，即便是在单晶基底上。但是，当前外延技术也趋于昂贵，因为必须使用 高成本的设备，诸如化学气相沉积(CVD)、气相外延(VPE)、分子束外延(MBE) 以及液相外延(LPE)。因此，4顿劍氐费用的技术以在基底上沉积外延层将大有裨益。
技术实现思路
在一个实施例中，本专利技术涉及在腔体中形成外延层的方法。该方法包括 将IV族半导体基底置于腔体中；并沉积纳米颗粒墨，所述纳米颗粒墨包括IV 族纳米颗粒组和溶剂，其中形成多孔坯块。该方法也包括利用加热装置加热该 多孔坯块至大约100°C到大约1100°C之间的温度，并且加热大约5么H...
【技术保护点】
在腔体中形成外延层的方法，包括： 将Ⅳ族半导体基底置于腔体中； 沉积纳米颗粒墨，所述纳米颗粒墨包括Ⅳ族纳米颗粒组和溶剂，其中形成多孔坯块； 利用加热装置加热所述多孔坯块至大约１００℃到大约１１００℃之间的温度，并且加热大约 ５分钟到大约６０分钟的时间； 其中形成外延层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：D波普拉夫斯基，F莱米，M克尔曼，A梅泽，
申请(专利权)人：创新发光体公司，
类型：发明
国别省市：US[]
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