温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开在腔体中形成外延层的方法。该方法包括将ＩＶ族半导体基底置于腔体中；并沉积纳米颗粒墨，所述纳米颗粒墨包括ＩＶ族纳米颗粒组和溶剂，其中形成多孔坯块。该方法也包括利用加热装置加热该多孔坯块至大约１００℃到大约１１００℃之间的温度，并且加...
该专利属于创新发光体公司所有，仅供学习研究参考，未经过创新发光体公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。