【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及纳米颗粒，特别涉及使用等离子反应器生产IV族元素半导体 纳米颗粒。
技术介绍
由于在生物医学、光学和电子领域中的各种潜在应用，纳米颗粒研究目前是广泛 科学研究的领域。特别地，半导体纳米颗粒(如硅纳米颗粒)由于它们在光伏电池、光致发 光类器件、掺杂电致发光光发射器、存储器件和其它微电子器件(例如二极管和晶体管)中 的潜在用途而使人特别感兴趣。产生IV族元素半导体纳米颗粒的常用方法包括激光热解、激光烧蚀、蒸发、气体 放电离解和等离子。不幸的是，目前已知的等离子反应器如通常未被优化用于纳米颗粒连 续式商业规模生产的那些。概述在一种实施方案中，本专利技术涉及用于由前体气体生产IV族元素半导体纳米颗粒 的集合的等离子处理装置。装置包括外介电管，外管包括外管内表面和外管外表面，其中外 管内表面具有外管内表面蚀刻速率。装置还包括内介电管，内介电管包括内管外表面，其 中外管内表面和内管外表面限定出环形通道，而且其中内管外表面具有内管外表面蚀刻速 率。装置还包括第一外电极，第一外电极具有布置在外管外表面上的第一外电极内表面。装 置还包括第一中心电极，第一中心电...
【技术保护点】
一种等离子处理装置，包括：外介电管，外介电管包括外管内表面和外管外表面，其中外管内表面具有外管内表面蚀刻速率；内介电管，内介电管包括内管外表面，其中外管内表面和内管外表面限定出环形通道，而且其中内管外表面具有内管外表面蚀刻速率；第一外电极，第一外电极具有布置在外管外表面上的第一外电极内表面；第一中心电极，第一中心电极被布置在内介电管内部，第一中心电极还被设计成在第一ＲＦ能量源施加到第一外电极和第一中心电极中一个时被连接到第一外电极上；在第一外电极和第一中心电极之间限定的第一反应区。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：X李，C阿尔肯塔拉，M克尔曼，E罗戈吉纳，E希夫，M特里，K范霍伊斯登，
申请(专利权)人：创新发光体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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