Ⅲ族氮化物半导体层的制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体发光元件和灯技术

本发明专利技术的目的是提供一种可获得能够很好地用于内部量子效率和光取出效率优异的发光元件的形成的结晶性优异的Ⅲ族氮化物半导体层的制造方法。根据本发明专利技术，可提供一种Ⅲ族氮化物半导体层（１０３）的制造方法，该制造方法在基板（１０１）上形成单晶的Ⅲ族氮化物半导体层（１０３），其中，该制造方法具有：通过在基板（１０１）的（０００１）Ｃ面上形成由与所述Ｃ面不平行的表面（１２ｃ）构成的多个凸部（１２），从而在所述基板（１０１）形成由平面（１１）和所述凸部（１２）构成的上面（１０）的基板加工工序，所述平面由所述Ｃ面构成；和在所述上面（１０）上外延生长所述Ⅲ族氮化物半导体层（１０３），由所述Ⅲ族氮化物半导体层（１０３）掩埋所述凸部（１２）的外延工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及很适合地用于发光二极管(led)等发光元件的m族氮化 物半导体层的制造方法以及m族氮化物半导体发光元件和灯。本申请基于在2006年12月22日在日本申请的专利申请2006-346000 号、在2007年8月30日在日本申请的专利申请2007-224496号、在2007 年10月22日在日本申请的专利申请2007-274376号和在2007年11月2 曰在日本申请的专利申请2007-2866卯号要求优先仅，在此援引其内容。
技术介绍
近年，作为发出短波长光的发光元件用的半导体材料，in族氮化物半导体引人注目。in族氮化物半导体由通式AlxGayInzN (0^x￡l、 OSyH、 0Sz51、 x+y+z=l)表示，采用金属有机化学气相淀积法(MOCVD)、分 子束外延法(MBE法)等在由以蓝宝石单晶为首的种种的氧化物、m~V 族化合物制成的基板上形成。使用m族氮化物半导体的一般的发光元件，在蓝宝石单晶基板上依次 层叠由m族氮化物半导体形成的n型半导体层、发光层、p型半导体层。由于蓝宝石基板是绝缘体，因此其元件结构一般为下述结构，即在同一面上存在在p型半导体层上形成的正本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ⅲ族氮化物半导体层的制造方法，在基板上形成单晶的Ⅲ族氮化物半导体层，该制造方法的特征在于，具有：　基板加工工序，通过在基板的（０００１）Ｃ面上形成由与所述Ｃ面不平行的表面构成的多个凸部，从而在所述基板上形成由平面和所述凸部构成的上 面，所述平面由所述Ｃ面构成；和　外延工序，在所述上面上外延生长所述Ⅲ族氮化物半导体层，由所述Ⅲ族氮化物半导体层掩埋所述凸部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：篠原裕直，酒井浩光，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]