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一种制造ＩＩＩ族氮化物半导体的方法，所述方法包括：制备包括缓冲层的衬底；在所述缓冲层上通过ＭＯＣＶＤ由ＩＩＩ族氮化物半导体在掺杂反表面活性剂的同时形成第一层，其中所述第一层的厚度等于或小于２μｍ；在所述第一层上通过ＭＯＣＶＤ由ＩＩＩ族氮化物...
该专利属于丰田合成株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田合成株式会社授权不得商用。

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