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一种多晶硅还原炉用变压器制造技术

技术编号:3938249 阅读:169 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种多晶硅还原炉用变压器。本实用新型专利技术涉及一种变压器。本实用新型专利技术的目的是提供一种可满足多晶硅还原炉还原过程中对电压、电流和漏抗需要的多晶硅还原炉用变压器。本实用新型专利技术的另一个目的是提供一种变压器散热效果好的多晶硅还原用变压器。本实用新型专利技术的技术方案是,包括一次绕组和二次绕组,铁芯上由内到外依次套设二次绕组和一次绕组,一次绕组的两端与电源连接,二次绕组设有抽头与多晶硅还原炉连接。本实用新型专利技术用于多晶硅还原炉用变压器。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种变压器,特别是一种多晶硅还原炉用变压器。技术背景目前用于工业生产的还原炉用变压器的结构是,通过改变一次侧匝数来满足二次 侧输出电压的变化,采用自然冷却或风冷的方式解决变压器温升。这种结构不能满足多晶 硅还原炉变压器电压和漏抗的需要,同时也不能很好解决变压器户内放置带来的变压器散 热不好的问题。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种可满足多晶硅还原炉还原过程中对电压、电流和漏 抗需要的多晶硅还原炉用变压器。本技术的另一个目的是提供一种变压器散热效果好 的多晶硅还原用变压器。本技术的技术方案是,包括一次绕组和二次绕组,其特征在 于铁芯上由内到外依次套设二次绕组和一次绕组,一次绕组的两端与电源连接,二次绕组 设有抽头与多晶硅还原炉连接。在变压器油箱中设置有冷却管与油箱外的进出水管连通。 本技术与现有技术比较具有能满足多晶硅在还原过程中对电压、电流和漏抗的需要以 及变压器的散热效果好的优点。附图说明附图是本技术多晶硅还原炉用变压器的结构示意图。具体实施方式结合以上附图对本技术作详细说明,一次绕组2不抽头,二次绕组根据还原 炉对不同的电压要求设置不同的抽头,为了解决风冷却受自然条件影响变压器散热效果差 的问题,在油箱中设置冷却管5,油箱外设置进、出水管与冷却管连通,将一次绕组2和二次 绕组1分别套在铁芯3外后,放在油箱10内,将储油柜8、一次套管7、二次套管6、压力释放 阀9、温度控制器11、脚轮12分别安装在油箱上,并将油箱内充满变压器油4即制成多晶硅 还原炉用变压器。权利要求一种多晶硅还原炉用变压器,包括一次绕组和二次绕组,其特征在于铁芯上由内到外依次套设二次绕组和一次绕组,一次绕组的两端与电源连接,二次绕组设有抽头与多晶硅还原炉连接。2.如权利要求1所述的多晶硅还原炉用变压器,其特征在于在变压器油箱中设置有 冷却管与油箱外的进出水管连通。专利摘要本技术公开了一种多晶硅还原炉用变压器。本技术涉及一种变压器。本技术的目的是提供一种可满足多晶硅还原炉还原过程中对电压、电流和漏抗需要的多晶硅还原炉用变压器。本技术的另一个目的是提供一种变压器散热效果好的多晶硅还原用变压器。本技术的技术方案是,包括一次绕组和二次绕组,铁芯上由内到外依次套设二次绕组和一次绕组,一次绕组的两端与电源连接,二次绕组设有抽头与多晶硅还原炉连接。本技术用于多晶硅还原炉用变压器。文档编号H01F27/30GK201629209SQ20102011963公开日2010年11月10日 申请日期2010年1月28日 优先权日2010年1月28日专利技术者刘尚磊, 李岩, 王艳芬, 邱在东, 郑龙, 陈继荣 申请人:郑龙本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅还原炉用变压器,包括一次绕组和二次绕组,其特征在于:铁芯上由内到外依次套设二次绕组和一次绕组,一次绕组的两端与电源连接,二次绕组设有抽头与多晶硅还原炉连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郑龙陈继荣王艳芬李岩邱在东刘尚磊
申请(专利权)人:郑龙
类型:实用新型
国别省市:41[中国|河南]

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