半导体晶片载体制造技术

公开了半导体晶片载体以及用于保护半导体晶片的方法。优选实施例包括具有中心区域和外围区域的载体。优选地，外围区域具有大于中心区域的厚度，以在载体中形成腔。优选将粘合剂放置在腔中，并将半导体晶片放置在粘合剂上。通过凸出的外围区域以及至少部分地填充半导体晶片和载体的外围区域之间的区域的所移位的粘合剂，来保护半导体晶片的边缘。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总的来说涉及用于制造半导体器件的系统和方法，更具体地，涉及用于承 载半导体晶片的系统和方法。
技术介绍
通常，半导体晶片会比较薄且易于损坏，并且在处理期间会变得更加薄且更易于 损坏。可以使半导体晶片更薄的一种步骤是硅通孔(TSV)工艺，从而在晶片的正面形成导 电通孔，并通过诸如研磨的工艺使晶片的背面变薄，以从背面露出导电通 L。使晶片变薄的 这种工艺会损坏晶片的边缘，并且会在晶片随后的运输和处理期间使晶片更加易碎且易于 损坏。 为了帮助减轻这些损坏，通常将一个载体附接至晶片。使用粘合剂来附接载体，并 用于通过操作载体来操作晶片。此外，载体的附加强度支撑晶片，使得由运输和/或处理引 起的应力不会损坏晶片。典型地，以与具有附接至镜片的平坦面的晶片相同的尺寸和形状 来制造载体。 然而，通过将晶片附接至与晶片相同尺寸和形状的载体，晶片在处理和运输期间 也仍然易于损坏。具体地，晶片露出的外部边缘会在运输和处理期间变得破碎和损坏。这 种损坏会降低总的工艺产量，因为晶片上的特定管芯会被损坏和失效。
技术实现思路
通过本专利技术的优选实施例通常会解决或防止这些和其他问题，并实现技术优势，其中，本专利技术的优选实施例提供了保护半导体晶片的侧面的半导体晶片载体。 根据本专利技术的优选实施例，半导体晶片包括具有凸起的外围区域的衬底。腔定位于衬底的中心区域。腔被配置为利用粘合剂连接至半导体晶片。 根据本专利技术的另一个优选实施例，用于保护半导体晶片的方法包括设置具有在其中形成有腔的载体。在腔内设置粘合剂，并将半导体晶片至少部分地放置在腔内。 根据本专利技术的又一优选实施例，用于保护半导体晶片的方法包括设置载体，该载体包括具有第一厚度的第一区域和具有大于第一厚度的第二厚度的第二区域，沿着第一区域的外边缘定位第二区域。使用粘合剂将半导体晶片附接至载体的第一区域。 本专利技术的优选实施例的优点是保护半导体晶片免受与半导体晶片的运输和处理相关联的损坏。附图说明为了更加完整地理解本专利技术及其优点，现在将结合附图来进行以下描述，其中 图1示出了根据本专利技术实施例的具有中心部分和外围部分的载体的截面图； 图2示出了根据本专利技术实施例的具有中心部分和外围部分的载体的平面图； 图3示出了根据本专利技术实施例的粘合剂在载体上的放置； 图4示出了根据本专利技术实施例的与粘合剂接触的晶片的放置； 图5示出了根据本专利技术实施例的晶片在被载体保护同时的进一步的处理；以及 图6示出了根据本专利技术实施例的晶片从载体去除。 除非另有指定，不同附图中相应的标号和符号通常表示相应的部分。绘制附图以 清晰示出优选实施例的相关方面，并且不必要按比例绘制。具体实施例方式下面详细讨论本专利技术优选实施例的制造和使用。然而，应该理解，本专利技术提供了许 多可以在各种特定环境中具体化的可应用专利技术概念。所讨论的具体实施例仅仅示出了制造 和使用本专利技术的具体方式，并不用于限制本专利技术的范围。 将参照特定上下文中的优选实施例描述本专利技术，即在减薄工艺期间将半导体晶片 附接至载体以露出硅通孔(TSV)的工艺。然而，本专利技术还应用于其他工艺，这有利于利用载 体衬底。 现在，参照图l，示出了优选载体101的截面图。优选地，载体101包括例如玻璃、 二氧化硅、氧化铝、它们的组合等。载体101优选具有中心区域103和外围区域105。优选 地，中心区域103将会附接至晶片401 (下面参照图4进行描述)，而外围区域105保护晶片 401的边缘不在处理和运输期间被损坏。 优选地，中心区域103是平坦的，以有助于其附接至晶片401。中心区域103优选 具有在约550 ii m与约670 P m之间的厚度，优选地为约620 y m的厚度。此外，中心区域103 优选具有大于将与其附接的晶片401 (参见图4)的直径。此外，虽然中心区域103的尺寸在 一定程度上依赖于晶片401的尺寸，但中心区域103优选具有大于晶片401的直径约1. 5% 和约0. 5%之间的直径。例如，如果晶片401的直径约为300 ii m，则中心区域的优选直径约 为303iim。 在附接至中心区域103的同时，外围区域105(截面示为中心区域103的侧面的两 个分离部分)优选地围绕中心区域103，并且还具有大于中心区域103的厚度。因此，优选 地，外围区域105在中心区域103的优选平坦表面上延伸。外围区域105的这种延伸或台 阶高度形成了中心区域103的腔，其中，晶片401可以等待进一步的处理。如此，台阶高度 的精确尺寸至少部分地依赖于将附接的晶片401的尺寸。然而，作为实例，由于晶片的厚度 约为100iim，所以外围区域105和中心区域103之间的台阶高度优选小于约100iim，优选 台阶高度约为50iim。 优选地，使用掩模和蚀刻工艺来形成载体101。在该工艺中，圆柱形的载体可以从 片或圆柱的期望材料分割得到。然后，如果优选玻璃材料被用于载体，则利用光刻材料的适 当掩模工艺可被用于形成光刻胶以选择性地去除中心区域103，同时保护外围区域105。然 后，由于外围区域105被保护，所以可以将适当的蚀刻剂用于减薄中心区域103，同时保持 外围区域105的厚度。 然而，本领域的技术人员应该认识到，上述掩模和蚀刻工艺仅仅是可形成载体IOI的优选实施例的方法的一个实例。还可以可选地利用其他方法，诸如分别将中心区域103 和外围区域105形成为它们的期望厚度，然后通过将这些部分提升到它们的熔点来将中心 区域103附接至外围区域105。任何适合的形成方法都可用于载体101，并且这些方法都包 括在本专利技术的范围之内。 图2示出了载体101的平面图。如图所示，中心区域103与晶片401的整体形状 (例如，圆形)相匹配。图2还示出了沿着中心区域103的外边缘围绕中心区域103的外围 区域105。 图3示出了在中心区域103上将粘合剂301放置到载体101的腔内。优选地，粘 合剂301包括紫外胶，该紫外胶在暴露给紫外线时失去其粘结性。然而，还可以使用其他类 型的粘合剂，诸如压敏粘合剂、辐射可固化粘合剂(radiation curable adhesive)、环氧树 脂、这些材料的组合等。优选地，以流体、半流体或凝胶形式将粘合剂放置在中心部分上，粘 合剂在压力之下易于变形。 图4示出了晶片401至少部分地优选放置到腔中，使得粘合剂301将晶片401附 接至载体101。晶片401通常包括由参考标号406统一表示的多个单独的管芯，其中，每个 管芯406都包括本领域已知的具有在其上形成的电子器件的衬底。衬底通常覆盖有一个或 多个介电层和导电层。导电层为下层的电子器件提供连接性和线路。 优选地，晶片401具有第一侧402，其上定位有电子器件以及介电和导电层。优选 地，晶片401还具有第二侧404，与第一侧402和电子器件相对定位。优选地，第二侧404不 具有位于其上的电子器件。 优选地，一个或多个单独的管芯406具有部分穿透半导体晶片401形成的导电通 孔408。优选地，通过涂覆和显影适当的光刻剂(未示出)，然后蚀刻晶片401的第一侧402 以形成通孔开口来形成导电通孔408。优选地，通孔开口被形成，以至少比形成在晶片401 内和其上的电子器件更深地延伸到晶片401中，并且优选地，至少延伸到比本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶片载体，包括：衬底，具有凸出的外围区域；以及腔，定位在所述衬底的中心区域，所述腔被配置为利用粘合剂连接至所述半导体晶片。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄招胜，陈明发，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]