一种半导体改变型变的方法技术

本发明专利技术涉及半导体加工技术领域，公开了一种半导体改变型变的方法，先采用离子刻蚀减薄半导体晶圆的背面，再对减薄后的半导体晶圆涂覆光刻胶，以在半导体晶圆的正面形成掩蔽图形，所述半导体晶圆的未被所述掩蔽图形掩蔽的区域为待腐蚀区域，然后将形成掩蔽图形的半导体晶圆放入腐蚀槽进行腐蚀，以去除所述待腐蚀区域，形成多个芯片，接着去除芯片上的光刻胶，这样，通过离子刻蚀和湿法刻蚀工艺，实现了芯片分割，并且减小了芯片应力。并且减小了芯片应力。并且减小了芯片应力。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体改变型变的方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，特别是涉及一种半导体改变型变的方法。

技术介绍

[0002]目前，随着半导体科技的日新月异的进步，对于半导体加工的要求越来越高。传统的加工工艺包括切割晶圆，使晶圆变成独立的芯片，然而，随着芯片越来越薄，晶圆上芯片的密度越来越高，芯片之间的切割位置也越来越窄，因而，在切割的过程中，芯片受应力的影响会出现变型，经过测量，该型变可以造成10
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15um的高度差异，从而影响其内部集成电路的工作性能。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种半导体改变型变的方法，其能够实现芯片分割，并且减小芯片应力。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体改变型变的方法，包括：
[0005]采用离子刻蚀减薄半导体晶圆的背面；
[0006]对减薄后的半导体晶圆涂覆光刻胶，以在半导体晶圆的正面形成掩蔽图形，所述半导体晶圆的未被所述掩蔽图形掩蔽的区域为待腐蚀区域；
[0007]将形成掩蔽图形的半导体晶圆放入腐蚀槽进行腐蚀，以去除所述待腐蚀区域，形成多个芯片；
[0008]去除芯片上的光刻胶。
[0009]作为优选方案，所述采用离子刻蚀减薄半导体晶圆的背面，具体包括：
[0010]采用SF6和C4F8气体并通过离子刻蚀工艺减薄半导体晶圆的背面。
[0011]作为优选方案，SF6的气体流量为1300～1450sccm，C4F8的气体流量为1000～1200sccm，腔室温度10～15摄氏度，腔室压强为30～70mtorr，源功率为1200～1500W，偏置功率为40～45W。
[0012]作为优选方案，减薄深度为600微米～700微米。
[0013]作为优选方案，在所述步骤将形成掩蔽图形的半导体晶圆放入腐蚀槽进行腐蚀，以去除所述待腐蚀区域中，腐蚀液为硝酸：冰乙酸：60％浓度氢氟酸＝5：3：2，溶液浓度为30
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50％。
[0014]作为优选方案，腐蚀的温度控制在23℃～25℃，腐蚀时间为80～120秒。
[0015]作为优选方案，在所述去除所述芯片上的光刻胶之后，还包括：
[0016]清洗所述芯片。
[0017]作为优选方案，所述清洗所述芯片，具体包括：
[0018]用去离子水冲洗芯片；
[0019]将芯片置于加热的氨水、双氧水和去离子水的混合液中浸泡；
[0020]用去离子水冲洗芯片并甩干芯片；
[0021]烘干芯片。
[0022]作为优选方案，氨水、双氧水和去离子水的混合液中的配比为氨水：双氧水：去离子水＝1:1:5，混合液温度为49
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51℃。
[0023]作为优选方案，烘干时间为29
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31小时，烘干温度为119
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121℃。
[0024]相比于现有技术，本专利技术实施例的有益效果在于：本专利技术实施例提供了一种半导体改变型变的方法，先采用离子刻蚀减薄半导体晶圆的背面，再对减薄后的半导体晶圆涂覆光刻胶，以在半导体晶圆的正面形成掩蔽图形，所述半导体晶圆的未被所述掩蔽图形掩蔽的区域为待腐蚀区域，然后将形成掩蔽图形的半导体晶圆放入腐蚀槽进行腐蚀，以去除所述待腐蚀区域，形成多个芯片，接着去除芯片上的光刻胶，这样，通过离子刻蚀和湿法刻蚀工艺，实现了芯片分割，并且减小了芯片应力。
附图说明
[0025]图1是本专利技术实施例中的半导体改变型变的方法的流程图。
具体实施方式
[0026]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]请参阅图1所示，其是本专利技术实施例中的半导体改变型变的方法的流程图。
[0028]本专利技术实施例的半导体改变型变的方法包括：
[0029]步骤S101，采用离子刻蚀减薄半导体晶圆的背面；
[0030]步骤S102，对减薄后的半导体晶圆涂覆光刻胶，以在半导体晶圆的正面形成掩蔽图形，所述半导体晶圆的未被所述掩蔽图形掩蔽的区域为待腐蚀区域；
[0031]步骤S103，将形成掩蔽图形的半导体晶圆放入腐蚀槽进行腐蚀，以去除所述待腐蚀区域，形成多个芯片；
[0032]步骤S104，去除芯片上的光刻胶。
[0033]在本专利技术实施例中，先采用离子刻蚀减薄半导体晶圆的背面，再对减薄后的半导体晶圆涂覆光刻胶，以在半导体晶圆的正面形成掩蔽图形，所述半导体晶圆的未被所述掩蔽图形掩蔽的区域为待腐蚀区域，然后将形成掩蔽图形的半导体晶圆放入腐蚀槽进行腐蚀，以去除所述待腐蚀区域，形成多个芯片，接着去除芯片上的光刻胶，这样，通过离子刻蚀和湿法刻蚀工艺，实现了芯片分割，并且减小了芯片应力。
[0034]在一种可选的实施方式中，所述步骤S101“采用离子刻蚀减薄半导体晶圆的背面”，具体包括：
[0035]采用SF6和C4F8气体并通过离子刻蚀工艺减薄半导体晶圆的背面。
[0036]具体地，SF6的气体流量为1300～1450sccm，例如可以是1300sccm、1340sccm、1360sccm、1380sccm、1400sccm、1410sccm、1430sccm、1450sccm等，当然，SF6的气体流量还可以根据实际使用要求设置为其他数值，在此不做更多的赘述。C4F8的气体流量为1000～1200sccm，例如可以是1000sccm、1020sccm、1040sccm、1060sccm、1080sccm、1100sccm、
1120sccm、1140sccm、1160sccm、1180sccm、1200sccm等，当然，C4F8的气体流量还可以根据实际使用要求设置为其他数值，在此不做更多的赘述。腔室温度10～15摄氏度，例如可以是10摄氏度、11摄氏度、12摄氏度、13摄氏度、14摄氏度、15摄氏度等，当然，腔室温度还可以根据实际使用要求设置为其他数值，在此不做更多的赘述。腔室压强为30～70mtorr，例如可以是30mtorr、33mtorr、36mtorr、40mtorr、43mtorr、47mtorr、50mtorr、54mtorr、59mtorr、60mtorr、64mtorr、68mtorr、70mtorr等，当然，腔室压强还可以根据实际使用要求设置为其他数值，在此不做更多的赘述。源功率为1200～1500W，偏置功率为40～45W。
[0037]在一种可选的实施方式中，减薄深度为600微米～700微米，例如可以是600微米、609微米、612微米、625微米、637微米、641微米、653微米、664微米、672微米、685微米、697微米、700微米等，当然，减薄深度还可以根本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体改变型变的方法，其特征在于，包括：采用离子刻蚀减薄半导体晶圆的背面；对减薄后的半导体晶圆涂覆光刻胶，以在半导体晶圆的正面形成掩蔽图形，所述半导体晶圆的未被所述掩蔽图形掩蔽的区域为待腐蚀区域；将形成掩蔽图形的半导体晶圆放入腐蚀槽进行腐蚀，以去除所述待腐蚀区域，形成多个芯片；去除芯片上的光刻胶。2.如权利要求1所述的半导体改变型变的方法，其特征在于，所述采用离子刻蚀减薄半导体晶圆的背面，具体包括：采用SF6和C4F8气体并通过离子刻蚀工艺减薄半导体晶圆的背面。3.如权利要求2所述的半导体改变型变的方法，其特征在于，SF6的气体流量为1300～1450sccm，C4F8的气体流量为1000～1200sccm，腔室温度10～15摄氏度，腔室压强为30～70mtorr，源功率为1200～1500W，偏置功率为40～45W。4.如权利要求2所述的半导体改变型变的方法，其特征在于，减薄深度为600微米～700微米。5.如权利要求1
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4任一项所述的半导体改变型变的方法，其特征在于，在所述步骤将形成掩蔽图形的半导体晶圆放入腐蚀槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹兴富，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：