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本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种半导体改变型变的方法，先采用离子刻蚀减薄半导体晶圆的背面，再对减薄后的半导体晶圆涂覆光刻胶，以在半导体晶圆的正面形成掩蔽图形，所述半导体晶圆的未被所述掩蔽图形掩蔽的区域为待腐蚀区域，然后将形成掩蔽图形...
该专利属于东莞新科技术研究开发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞新科技术研究开发有限公司授权不得商用。

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