芯片的布局结构与方法技术

一种芯片布局结构与方法。芯片布局结构包括第１导电通孔、第２导电通孔、芯片，以及八个接点。第１导电通孔与第２导电通孔贯穿于芯片。第１导电通孔包括第１接点与第２接点，而第２导电通孔包括第３接点与第４接点。第５接点与第３接点导通。第６接点与第２接点导通。第７接点与第１接点导通。第８接点与第４接点导通。在芯片的垂直方向上，第１接点与第２接点部分或全部重叠，第３接点与第４接点部分或全部重叠，第６接点与第５接点部分或全部重叠，第８接点与第７接点部分或全部重叠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及堆叠芯片的布局结构与方 法。
技术介绍
在目前晶体管制造于单一芯片的技术正处于发展中，通过垂直方向布局堆叠芯 片，可让不同功能或不同工艺技术的芯片达到整合的目的，解决不同功能或不同种类晶体 管制造整合于单一芯片的困难。然而现今堆叠芯片中信号连线的布局方式为，在芯片正面 或背面利用线路重布技术(Redistribution Layer,RDL)绕线藉以改变信号接点位置，之后 再利用微凸块(Micro Bump)藉以使得堆叠芯片之间接合。据此，多个芯片之间的信号便可 以顺序通过这些绕线、接点、微凸块，以及穿透硅通孔(Through Silicon Via, TSV)来上下 传递。一般而言，这样技术在连接方式上可能会固定了堆叠芯片之间信号的传递模式。 也就是说，如果设计要求改变堆叠芯片的信号传递模式，除了需要改变微凸块的布局之外， 另一方面则必须重新全部改变芯片正面与背面的RDL绕线，藉以符合另一设计的要求。更 进一步而言，RDL的重新设计代表增加制造成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种芯片布局结构，其两个导电通孔贯穿于芯片，芯片两侧 具有四个接点与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片的布局结构，其特征在于，包括：一第１导电通孔，贯穿于一第１芯片，其中该第１导电通孔包括一第１接点与一第２接点，该第１接点位于该第１芯片的一第１侧，该第２接点位于该第１芯片的一第２侧，该第１接点与该第２接点在该第１芯片的垂直方向部分或全部重叠；一第２导电通孔，贯穿于该第１芯片，其中该第２导电通孔包括一第３接点与一第４接点，该第３接点位于该第１芯片的该第１侧，该第４接点位于该第１芯片的该第２侧，该第３接点与该第４接点在该第１芯片的垂直方向部分或全部重叠；一第５接点，位于该第１芯片的该第１侧，该第５接点与该第３接点导通；一第６接点，位于该第１芯片的该第２侧，该第６接点与该第２接点导通，且该第...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周永发，蒯定明，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]