显示基板及其制造方法技术

一种显示基板及其制造方法，涉及显示基板领域。本发明专利技术的显示基板同时具有较高基板透光率和较好像素电极电压稳定性，其包括：至少一个像素；所述像素包括至少一个晶体管、一个存储电容和一个像素电极。所述存储电容包括：设置在所述基板上的第一电容电极；覆盖所述第一电容电极的第一介电层和第二介电层；所述像素电极的部分面积对应所述第一电容电极设置在所述第二介电层上；所述栅极阻抗层和所述第一介电层构成材料相同且所述第一介电层厚度小于所述栅极阻抗层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种薄膜晶体管显示基板及 其制造方法。
技术介绍
近年来，包括薄膜晶体管液晶显示(Thin Film Transistor Liquid CryStalDiSplay，TFT-IXD)技术在内的平板显示技术得到了长足的发展。图1绘示一种薄 膜晶体管液晶显示面板的一个基板的俯视示意图，其包括基板110和设置在基板121上的 多条信号线。多条信号线中包括多条数据线121和多条扫描线131。数据线121和扫描线 131互相垂直，两条相邻的数据线121和相邻的扫描线131区隔出一个显示像素。图2是图 1中一个显示像素的原理图，图3是图1中一个显示像素的俯视结构示意图。如图2和图3 所示，显示像素包括晶体管160和像素电极151。晶体管160包括栅极122、源极132和漏极 133。栅极122连接至一条扫描线121，源极132连接至一条数据线131，漏极133通过通孔 155连接至像素电极151。同时，像素中还包括一个储存电容180，以提升像素电极151的电 压稳定性。储存电容的一个极板由公共电极线171构成，另一个极板由部分面积的显示电 极151构成。图4是图3中沿AA线的侧视剖面图。如图4所示，晶体管160包括设置在所 述基板110上的栅极122 ；覆盖所述栅极122的栅极阻抗层135 ；对应所述栅极122位置设 置在所述栅极阻抗层135上的半导体区块136 ；覆盖所述半导体区块136部分面积的蚀刻 阻抗区块137 ；设置在所述蚀刻阻抗区块及所述半导体区块136上的源极132和漏极133 ； 所述像素电极151连接所述漏极133。所述存储电容180包括设置在所述基板110上的 第一电容电极171 ；覆盖所述第一电容电极171的第一介电层175和第二介电层176 ；所述 像素电极151的部分面积对应所述第一电容电极171设置在所述第二介电层176上，形成 第二电容电极。栅极阻抗层135和第一介电层175是在同一个制造工序中由相同材料形成 的，厚度基本相同。由图3和图4可知，像素电极151的有效面积与电容180的电容电极面 积有关，电容电极越大则像素电极151的有效面积越小，电容电极越小，则像素电极151的 有效面积越大。对于液晶显示器来说，像素电极的有效面积越大，则基板110的透光率(或 称为开口率)越高。如果通过缩小电容电极的方式使基板获得为较高的透光率，则会带来 像素电极电压稳定性下降这一负面影响。因此，如何实现一种同时具有较高基板透光率和 较好像素电极电压稳定性的显示基板是业界努力的方向。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种显示基板，其包括至少一个像素；所述像素包括至 少一个晶体管、一个存储电容和一个像素电极。所述晶体管包括设置在所述基板上的栅 极；覆盖所述栅极的栅极阻抗层；对应所述栅极位置设置在所述栅极阻抗层上的半导体区 块；覆盖所述半导体区块部分面积的蚀刻阻抗区块；设置在所述蚀刻阻抗区块及所述半导 体区块上的源极和漏极。所述像素电极连接所述漏极。所述存储电容包括设置在所述基3板上的第一电容电极；覆盖所述第一电容电极的第一介电层和第二介电层；所述像素电极 的部分面积对应所述第一电容电极设置在所述第二介电层上；所述栅极阻抗层和所述第一 介电层构成材料相同且所述第一介电层厚度小于所述栅极阻抗层。作为可选的技术方案，所述栅极阻抗层和所述第一介电层包括氧化硅或氮化硅。作为可选的技术方案，所述像素电极包含铟锡氧化物。作为可选的技术方案，所述半导体区块包含参杂非晶硅。作为可选的技术方案，所述基板为玻璃基板。作为可选的技术方案，所述第一介电层厚度为所述栅极阻抗层厚度的10%至 90%。作为可选的技术方案，所述栅极、源极或漏极包含金属。本专利技术的另一个目的是提供一种显示基板制造方法，其包括步骤1:提供基板；步骤2 在所述基板上形成至少一个栅极和至少一个第一电容电极；步骤3 在所述基板上依次覆盖第一阻抗层、半导体层及蚀刻阻抗层；步骤4 去除部分所述蚀刻阻抗层，在对应所述栅极位置形成蚀刻阻抗区块；步骤5 在所述基板上覆盖第二金属层；步骤6 去除部分所述第二金属层及半导体层，在对应所述栅极位置形成半导体 区块及源极和漏极；步骤7 削减对应所述第一电容电极位置的所述第一阻抗层厚度；步骤8 在所述基板上依次形成第二阻抗层及像素电极。作为可选的技术方案，所述步骤7中削减所述第一阻抗层厚度的10%至90%。作为可选的技术方案，所述步骤7通过干式蚀刻削减所述第一阻抗层。与现有技术相比，本专利技术显示基板的好处在于，可以在保持存储电容容量不变的 前提下，缩小电容电极的面积，同时实现了具有较高基板透光率和较好像素电极电压稳定 性。附图说明图1绘示一种薄膜晶体管液晶显示面板的一个基板的俯视示意图；图2是图1中一个显示像素的原理图；图3是图1中一个显示像素的俯视结构示意图；图4是图3中沿AA线的侧视剖面图；图5是本专利技术一种实施方式的显示基板的一个显示像素的俯视结构示意图；图6是图5中沿BB线的侧视剖面图；图7至图11是图6中的显示基板制造过程的示意图。具体实施方式请参考图5和图6，图2是本专利技术一种实施方式的显示基板的一个显示像素的俯视 结构示意图，图6是图5中沿BB线的侧视剖面图；本实施方式的显示基板210包括至少一 个像素；所述像素包括至少一个晶体管260、一个存储电容280和一个像素电极251。所述晶体管260包括设置在所述基板210上的栅极222 ；覆盖所述栅极222的栅极阻抗层235 ； 对应所述栅极222位置设置在所述栅极阻抗层235上的半导体区块236 ；覆盖所述半导体 区块236部分面积的蚀刻阻抗区块237 ；设置在所述蚀刻阻抗区块237及所述半导体区块 236上的源极232和漏极233。所述像素电极251通过通孔255连接所述漏极233。所述存 储电容280包括设置在所述基板210上的第一电容电极271 ；覆盖所述第一电容电极271 的第一介电层275和第二介电层276 ；所述像素电极251的部分面积对应所述第一电容电 极271设置在所述第二介电层276上；所述栅极阻抗层235和所述第一介电层275构成材 料相同且所述第一介电层275厚度小于所述栅极阻抗层235。在本实施方式中，所述栅极 阻抗层235和所述第一介电层275中包括氧化硅或氮化硅材料；所述像素电极151包含铟 锡氧化物；所述半导体区块包括参杂非晶硅；所述基板210为玻璃基板；所述栅极、源极或 漏极包含金属，例如铝等。所述第一介电层275厚度为所述栅极阻抗层235厚度的10%至 90%。根据电容的原理可以知道，两个电容电极间距离减小则电容容值增大，由于本实施方 式中的第一介电层275相比图4中现有技术的第一介电层175有所减薄，储存电容280的 两个电容电极间的距离变小，所以本实施方式的显示基板可以实现下述的技术效果1.在 保持与现有技术相同储存电容电极面积的情况下，提升储存电容容值；2.在保持与现有技 术相同储存电容容值的情况下，缩小储存电容电极面积。如图5所示，其储存电容280电极 面积小于图3中储存电容180的电极面积，但由于第一介电层275厚度相比图4中现有技 术的第一介电层175有所减薄，可以做到电容容值与电容180本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板，其特征在于包括至少一个像素；所述像素包括至少一个晶体管、一个存储电容和一个像素电极；所述晶体管包括：设置在所述基板上的栅极；覆盖所述栅极的栅极阻抗层；对应所述栅极位置设置在所述栅极阻抗层上的半导体区块；覆盖所述半导体区块部分面积的蚀刻阻抗区块；设置在所述蚀刻阻抗区块及所述半导体区块上的源极和漏极；所述像素电极连接所述漏极；所述存储电容包括：设置在所述基板上的第一电容电极；覆盖所述第一电容电极的第一介电层和第二介电层；所述像素电极的部分面积对应所述第一电容电极设置在所述第二介电层上；所述栅极阻抗层和所述第一介电层构成材料相同且所述第一介电层厚度小于所述栅极阻抗层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈昱丞，王参群，罗婉瑜，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]