【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光二极管领域,特别是涉及一种堆栈发光二极管芯片结构;本专利技术还涉及所述堆栈发光二极管的制造方法。
技术介绍
发光二极管(LED Light Emitting Diode)是由半导体材料所制成的发光组件。该 组件具有两个电极端子,在两个电极端子间施加电压,通入极小的电流,经由电子电洞的结 合可将剩余能量以光的形式激发释出,此即发光二极管的基本发光原理。发光二极管不同 于一般的白炽灯泡,发光二极管系属冷发光,具有耗电量低、组件寿命长、无须暖灯时间及 反应速度快等优点,再加上其体积小、耐震动、适合量产,容易配合应用上的需求制成极小 或阵列式的组件。目前发光二极管已普遍使用于信息、通讯及消费性电子产品的指示器与 显示装置上,成为日常生活中不可或缺的重要组件。关于发光二极管于诸多的现有技术中多有揭露,例如中国台湾专利公告第408497 号“发光二极管照明装置”、中国台湾专利公告第452202号“密封式发光二极管照明装置” 以及中国台湾专利公告第512548号“发光二极管照明器”均有所揭露。前述各公告案中所 揭示的技术,多注重于以多颗发光二极管的发光作为照 ...
【技术保护点】
一种堆栈发光二极管芯片结构,其特征在于,包括:一基板,两个半导体外延层相间隔设置于该基板上;一覆晶式发光二极管芯片,设置于所述两个半导体外延层之间,且与该两个半导体外延层电连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:黄国钦,冯辉庆,潘锡明,潘宏立,朱胤丞,
申请(专利权)人:裕星企业有限公司,
类型:发明
国别省市:HK[中国|香港]
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