具有增加光取出效率的交流发光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种具有增加光取出效率的交流发光装置，在一基板设置一第一发光二极管与一第二发光二极管，所述基板具有复数凹槽，且第一发光二极管与第二发光二极管之间具有一分隔空间，使发光二极管之间绝缘，而第一发光二极管与第二发光二极管之间通过一导体相连接，以使所述交流发光装置可完全使用交流电发光。本发明专利技术还公开了一种所述交流发光装置的制造方法。本发明专利技术可以藉由基板所具有的复数凹槽将光线反射至侧面，以解决发光层照射至基板的光线无法完全往发光二极管的侧面传播，降低其发光效率的问题，提高第一发光二极管与第二发光二极管的光取出效率，提高交流发光装置的发光效能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光装置，特别是涉及一种具有增加光取出效率的交流发光装置；本专利技术还涉及所述交流发光装置的制造方法。
技术介绍
随着光电产业的快速发展，作为光源的一的发光二极管(LED Light Emitting Diode)由于具有省电的特点，已大量广泛地应用于各种照明或需光源的领域，且发光二极 管于光电领域中占有举足轻重的地位。正因如此，世界各国厂商莫不投入大量资源于相关 技术的开发，而于2005的韩国汉城半导体与美国III-N Technology的产品发表会更说明 了交流式发光二极管(AC LED)产品的发展趋势，成为全球性发光二极管厂商的开发趋势。从交流式发光二极管的技术发展至今，主要的技术发展在于改善交流式发光二 极管的电性问题。例如交流式发光二极管无法于交流电正负半周讯号输入时皆可发光 (全时发光)的问题，因而发展出一种桥式交流式发光二极管结构，其主要利用惠斯登电桥 (ffheatstone Bridge)的整流设计概念，以使发光二极管于交流电正负半周讯号输入时的 每一瞬间仅有总数1/2的交流式电发光二极管发光的现象得以改善，而能全时发光。然而，现今交流式发光二极管结构中针对光学特性仍有其发展性，例如全反射问 题的改善。由于交流式发光二极管的发光层产生光线后，大部分光线是在交流式发光二极 管结构中传递，而交流式发光二极管结构中的光线需经折射的方式才能传递至交流式发光 二极管结构外；但光线折射的角度有限，当光线的入射角度超过能折射的角度范围时，光线 会发生全反射，因而造成部分光线仍然在交流式发光二极管结构中，却无法传递出交流式 发光二极管结构外；如此交流式发光二极管无法发挥原有的发光效能。此外，交流式发光二极管的发光层照射至基板的光线中，部分光线为直线前进，因 而导致部分光线仅能被基板吸收或基板与发光层之间来回反射，光线却无法往交流式发光 二极管的侧面传播。如此基板所吸收的光能将转为热能发散，所以造成交流式发光二极管 的发光效能降低并造成过热。综合上述，交流式发光二极管的主要设计为光源的使用，如何提高其发光效率为 一主要课题，而交流式发光二极管使用于人类的家庭较为广泛，故解决上述的问题实为一 最大的课题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种具有增加光取出效率的交流发光装置，能够 有效增加光取出效率；为此，本专利技术还要提供一种所述交流发光装置的制造方法。为解决上述技术问题，本专利技术的具有增加光取出效率的交流发光装置所采用的技 术方案之一是，包括一基板，其具有复数凹槽；一第一发光二极管，设置于所述复数凹槽上；一第二发光二极管，设置于所述复数凹槽上；以及一导体，其耦接所述第一发光二极管与所述第二发光二极管，所述第一发光二极 管与所述第二发光二极管之间具有一分隔空间，所述第一发光二极管与所述第二发光二极 管可依一交流电发光。上述交流发光装置的制造方法是 提供一基板并蚀刻复数凹槽于所述基板上；分别形成一第一发光二极管与一第二发光二极管于所述复数凹槽上，所述第一发 光二极管与所述第二发光二极管之间具有一分隔空间；以及设置一导体于所述分隔空间上并连接所述第一发光二极管与所述第二发光二极管。本专利技术的具有增加光取出效率的交流发光装置所采用的技术方案之二是，包括一承接基板，具有复数凹槽、一第一导电层、一第二导电层与一第三导电层；一第一发光二极管，设置于所述复数凹槽上，所述第一发光二极管包含一第一电 极与一第二电极，所述第二电极通过一第一凸块连接所述第一导电层，所述第一电极通过 一第二凸块连接所述第二导电层；以及一第二发光二极管，设置于所述复数凹槽上，所述第二发光二极管包含一第三电 极与一第四电极，所述第三电极通过一第三凸块连接所述第三导电层，所述第四电极通过 一第二凸块连接所述第二导电层，所述第一发光二极管与所述第二发光二极管之间具有一 分隔空间，所述第一发光二极管与所述第二发光二极管通过所述第一导电层、所述第二导 电层与所述第三导电层依一交流电发光。上述交流发光装置的制造方法是提供一承接基板并蚀刻复数凹槽于所述承接基板上，且所述承接基板上具有一第 一导电层、一第二导电层与一第三导电层；提供一共享基板，对应所述复数凹槽分别形成一第一发光二极管与一第二发光二 极管于所述共享基板上，所述第一发光二极管与所述第二发光二极管之间具一分隔空间； 以及翻转所述共享基板，以一第一凸块使所述第一发光二极管连接所述第一导电层， 以一第二凸块使所述第一发光二极管与所述第二发光二极管连接所述第二导电层，以一第 三凸块使所述第二发光二极管连接所述第三导电层；以及自所述第一发光二极管与所述第二发光二极管分离所述共享基板。由于采用本专利技术的交流发光装置及其制造方法，可以籍由基板所具有的复数凹槽 将光线反射至侧面，以解决发光层照射至基板的光线无法完全往发光二极管的侧面传播， 降低其发光效率的问题，提高第一发光二极管与第二发光二极管的光取出效率，因而提高 交流发光装置的发光效能。另外，采用本专利技术的交流发光装置及其制造方法，还可以籍由散射结构，使交流发 光装置增加光取出效率的基础上增加电极的接触面积。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明图1是本专利技术的实施例一结构示意图；图2是本专利技术的实施例二结构示意图；图3是本专利技术的实施例三结构示意图； 图4A是本专利技术的实施例四结构示意图；图4B是本专利技术的实施例五结构示意图；图5A至5D是本专利技术的交流发光装置的实施例电路图。图6A至6D是本专利技术中半导体磊晶层一实施例的结构示意图；图7A至7D是本专利技术中半导体磊晶层另一实施例的结构示意图；图8A至8C是图1所示实施例的制造流程示意图；图9A至9D是图2所示实施例的制造流程示意图；图10是本专利技术的实施例五结构示意图；图11是本专利技术的实施例六结构示意图；图12是本专利技术的实施例七结构示意图；图13是本专利技术的实施例八结构示意图；图14是本专利技术的实施例九结构示意图；图15是本专利技术的实施例十结构示意图；图16A、16B是本专利技术的实施例i^一结构示意图；图17A至17D是本专利技术的交流发光装置的另一实施例电路图；图18A至18D是本专利技术中半导体磊晶层的再一实施例结构示意图；图19A至19D是本专利技术中半导体磊晶层另一较佳实施例结构示意图；图20A至20E是图10所示实施例的制造流程示意图；图21A至21E是图11所示实施例的制造流程示意图。图中符号说明10为交流发光装置；12为基板；122为凹槽；124为分隔空间；130为第一导电层；132为第二导电层；134为第三导电层；14为第一发光二极管； 142为外延堆栈层；144为N型半导体层；146为发光层；148为P型半导体层；150为第一电极；152为第二电极；154为散射结构；16为第二发光二极管； 162为外延堆栈层；164为N型半导体层；166为发光层；168为P型半导体层；170为第一电极；172为第二电极；174为散射结构；18为导体；20为绝缘层；22为能量转换层；222为散射结构；30为桥式整流电路； 40为半导体磊晶层； 42为外延堆栈层；422为第二电极；44为N型半导体层；442为第一电极；46为发光层；48为P型半导体层；482为第二电极；50为覆晶式交流发光装置；51本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有增加光取出效率的交流发光装置，其特征在于，包括：一基板，其具有复数凹槽；一第一发光二极管，设置于所述复数凹槽上；一第二发光二极管，设置于所述复数凹槽上；以及一导体，其耦接所述第一发光二极管与所述第二发光二极管，所述第一发光二极管与所述第二发光二极管之间具有一分隔空间，所述第一发光二极管与所述第二发光二极管可依一交流电发光。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘锡明，黄国钦，冯辉庆，朱胤丞，丁逸圣，
申请(专利权)人：璨扬投资有限公司，
类型：发明
国别省市：HK[中国|香港]