本发明公开了一种垂直式发光二极管制造方法，其是先以基板作为用于外延生长的基底，接着依序将第一半导体层、发光层与第二半导体层形成于基板之上，然后进行晶粒接合制程，以使第二半导体层与一载体接合。然后移除基板，以便于最后设置一焊垫于第一半导体...

本发明公开了一种发光装置及其制造方法，该发光装置包含一发光二极管、至少一金属衬垫及一荧光层。本发明的主要特征在于，使金属衬垫暴露，以方便日后进行打线及封装制程。另一特征为本发明所提供的发光装置即为单一混光晶粒，直接进行封装即可，不须于封...

本发明公开了一种氮化镓系发光二极管，该发光二极管包含一基板、一设于该基板上的Ｎ型半导体层、一设于该Ｎ型半导体层上的主动层、一设于该主动层上的Ｐ型半导体层、一设于该Ｐ型半导体层上的导电层、一设于该导电层上的第一电极及一设于部分暴露的该Ｎ型...

本发明公开了一种增加发光效率的发光二极管，该发光二极管包含一个发光二极管芯片及一个设于该发光二极管芯片底部的光学层，该光学层可为一个光层、一个光反射层或一个能量转换层，以增加该发光二极管的发光效率，另还于该发光二极管芯片与该光学层之间设...

本发明公开了一种发光二极管，包括基板、半导体叠层、第一电极以及第二电极，其中，半导体叠层设置于基板上，且半导体叠层包括Ｎ型掺杂半导体层、Ｐ型掺杂半导体层以及发光层，Ｎ型掺杂半导体层具有铟掺质，而发光层设置于Ｎ型掺杂半导体层与Ｐ型掺杂半导...

本发明公开了一种发光二极管结构，包括基板、第一型掺杂半导体层、第一电极、发光层、第二型掺杂半导体层与第二电极。其中，基板具有表面以及多个位于表面上的圆柱状光子晶体，而第一型掺杂半导体层是设置于基板上以覆盖这些光子晶体。发光层、第二型掺杂...

本发明公开了一种发光二极管芯片，其主要包括基板、第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层、发光层、至少一掺杂铟掺质的氮化铝镓系材料层及至少一穿隧接合层。第一型掺杂半导体层设置于基板上，且发光层设置于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之...

本发明公开了一种氮化物系半导体发光组件，该发光组件包含一发光外延层、一Ｐ型电极及一Ｎ型电极，该Ｐ型电极及该Ｎ型电极设于该发光外延层之上，本发明的特征在于该Ｎ型电极设于该Ｐ型电极内侧，该Ｐ型电极沿着该发光外延层的边缘向该Ｎ型电极呈辐射状延...

本发明公开了一种导光型发光二极管，包括一基板；一第一半导体层，设置于所述基板上；一外延出光层，设置于所述第一半导体层上，并包含一孔洞，所述孔洞的侧壁的截面为一斜面；一透明导电层，设置于所述外延出光层上；一第一电极，设置于所述第一半导体层...

本发明公开了一种具有绝缘层的固晶发光装置，包括：一透明基板、一第一发光单元、一第二发光单元、一绝缘层与一导电层，第一发光单元与第二发光单元设置于透明基板上，其中第二发光单元具有阶梯状结构的外观，绝缘层设置于第一发光单元与第二发光单元之间...

本发明公开了一种具有增加光取出效率的交流发光装置，在一基板设置一第一发光二极管与一第二发光二极管，所述基板具有复数凹槽，且第一发光二极管与第二发光二极管之间具有一分隔空间，使发光二极管之间绝缘，而第一发光二极管与第二发光二极管之间通过一...

本发明公开了一种具反射层的发光组件，所述反射层由多个介电层构成，而介电层的材料种类包括两种以上，及介电层的厚度分为两种以上，如此形成多种不同结构的反射层，但介电层的材料种类分为两种及其厚度分为两种的组合除外。而本发明所提供的反射层可应用...

本发明公开了一种具抗突波与静电保护的覆晶式发光二极体封装结构，其包含有一载体、一发光二极体晶片、一抗突波保护层、一第一导电元件与一第二导电元件。此外，本发明还公开了该具抗突波与静电保护的覆晶式发光二极体的制造方法，包括如下步骤：先形成一...

本发明公开了一种发光二极管芯片，包括基板、半导体层、微粗化层、第一电极及第二电极。半导体层位于基板上，且微粗化层设置于半导体层内、半导体层与基板之间，或是设置于半导体层的上表面。第一电极及第二电极均位于半导体层上，其中第一电极与第二电极...

本发明公开了一种具有多方向性光散射的发光二极管的结构及其制造方法，其将一金属氧化物设置于一第二半导体层的上方，且所述金属氧化物是为不规则设置，并利用蚀刻将金属氧化物去除并将部分第二半导体层或部分发光层或部分第一半导体层去除，以成为一散射...