具有抗突波与静电的发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种具有抗突波与静电的发光二极管及其制造方法，其结构包含一个基板、一个Ｎ型半导体层、一个Ｐ型半导体层、一个主动层、一个第一透明导电层、一个氧化层、一个绝缘层、一个第二透明导电层、一个正电极与一个负电极。其中正电极经第一透明导电层、Ｐ型半导体层、主动层与Ｎ型半导体层至负电极形成一个第一路径供一个电压通过，以及负电极经氧化层与第二透明导电层至正电极形成一个第二路径供一个电流通过，当偏压电压超过发光二极管的操作电压时，将使突波电流从负电极经第二路径传导至正电极或从正电极经第二路径传导至负电极，以提供二极管具有更好的抗突波与静电的功能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光电半导体结构及其制造方法，尤其是一种具抗突波与静电的发光二极管及其制造方法。
技术介绍
现今光电半导体制程发展成熟，且由早期的微米制程进一步发展至现今的纳米制 程，以提高光电半导体结构的效能，其中一种受到广泛利用的光电半导体结构即为发光二 极管，且发光二极管的应用在现今光电半导体制程中更是普遍，特别是发光二极管与半导 体激光的应用。然而随着现今光电半导体制程越来越小，越需注意二极管的过电压防护，以 防止过电压所产生的过电流，造成发光二极管受到过电流的破坏，而光电半导体的发光二 极管更是需要注意静电与突波的绝缘措施。由于氮化镓系发光二极管具高亮度与高发光 率，且氮化镓系发光二极管更可直接发出色光，或混合两种以上的色光形成其它色光，因此 发光二极管的应用技术上以氮化镓系发光二极管受到广泛运用。另外，由于发光二极管比 传统日光灯省电，发光二极管于照明装置应用上即具有取代传统照明装置的趋势。请参见图1，所示为现有抗静电的覆晶式发光二极管的结构示意图。如图所示，现 有抗静电的发光二极管为覆晶式封装结构，其包含有一基板10、一个N型半导体层12、一个 P型半导体层14、一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有抗突波与静电的发光二极管，其特征在于，包含有：一个基板；一个Ｎ型半导体层，设置于该基板上；一个主动层，设置于部分该Ｎ型半导体层上；一个Ｐ型半导体层，设置于该主动层上；一个第一透明导电层，设置于部分该Ｐ型半导体层上；一个绝缘层，自部分该Ｎ型半导体层上覆盖至部分该Ｐ型半导体层上；一个氧化层，设置于部分该第一透明导电层与部分该Ｐ型半导体层上，并连接该绝缘层；一个第二透明导电层，设置于该绝缘层上与部分该氧化层上；一个正电极，设置于部分该第一透明导电层上；以及一个负电极，设置于部分该Ｎ型半导体层上，并连接该第二透明导电层；其中，当该正电极与该负电极接收超过该发光发光二极管的操作电压的一个第二偏压...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄国钦，潘锡明，简奉任，
申请(专利权)人：裕星企业有限公司，
类型：发明
国别省市：HK[中国|香港]