存储器同步开关噪声的测试方法以及测试装置制造方法及图纸

本公开实施例提供一种存储器同步开关噪声的测试方法以及测试装置，所述测试方法包括：确定存储器的一个数据输入输出端作为第一数据端，其余数据输入输出端作为第二数据端，并确定所述第一数据端的传输频率为第一频率，所述第二数据端的传输频率为第二频率；其中，所述第一频率高于所述第二频率；向所述第一数据端写入第一预设数据，向所述第二数据端写入第二预设数据；从所述第一数据端读取写入的所述第一预设数据；根据从所述第一数据端读取的数据对应的频谱信息，确定所述存储器是否存在同步开关噪声。本公开实施例通过区别第一数据端和第二数据端的传输频率，根据数据读写过程中的频谱信息，确定存储器是否存在同步开关噪声。声。声。

【技术实现步骤摘要】
存储器同步开关噪声的测试方法以及测试装置


[0001]本公开涉及半导体存储器
，尤其涉及一种存储器同步开关噪声的测试方法以及测试装置。

技术介绍

[0002]目前，电路系统的设计趋于复杂，并且随着电路系统的运行速度越来越快，其运行频率也越来越高，正是由于系统运行频率的增高，势必会影响到系统运行的稳定性问题，而同步开关噪声(Synchronous
‑
Switching Noise，简称SSN)干扰是其中较为突出的一个问题。
[0003]对于双倍速率同步动态随机存储器(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，DDR SDRAM)，一般将DDR SDRAM简称为DDR，这种存储器有多个I/O并行总线，同步开关噪声的影响尤为明显。DDR4的数据传输速率可达3200Mbps，DDR5的数据传输速率可达6400Mbps，由于信号上升沿和下降沿变陡，信号周期变短，使得同步开关噪声SSN干扰迅速增大，此时，如果芯片管脚同时跳变的输出信号较多，会造成同步开关噪声叠加，从而使系统中芯片的采样参考电平浮动到信号采样不准确的程度。
[0004]在相关技术中，尚未能够很好的观察同步开关噪声的情况。

技术实现思路

[0005]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0006]本公开提供一种存储器同步开关噪声的测试方法以及测试装置。
[0007]根据本公开实施例的第一方面，提供一种存储器同步开关噪声的测试方法，所述测试方法包括：
[0008]确定存储器的一个数据输入输出端作为第一数据端，其余数据输入输出端作为第二数据端，并确定所述第一数据端的传输频率为第一频率，所述第二数据端的传输频率为第二频率；其中，所述第一频率高于所述第二频率；
[0009]向所述第一数据端写入第一预设数据，向所述第二数据端写入第二预设数据，所述第一预设数据与所述第一频率相对应，所述第二预设数据与所述第二频率相对应；
[0010]从所述第一数据端读取写入的所述第一预设数据；
[0011]根据从所述第一数据端读取的数据对应的频谱信息，确定所述存储器是否存在同步开关噪声。
[0012]根据本公开的一些实施例，所述根据从所述第一数据端读取的数据对应的频谱信息，确定所述存储器是否存在同步开关噪声，包括：
[0013]确定所述频谱信息中是否含有所述第二频率的频谱信息；
[0014]若有，确定所述存储器存在同步开关噪声。
[0015]根据本公开的一些实施例，所述第二频率为所述第一频率的N分频，N为大于等于2
的正整数。
[0016]根据本公开的一些实施例，所述测试方法还包括：
[0017]设置所述第一预设数据与所述第一频率、以及所述第二预设数据与所述第二频率的映射关系。
[0018]根据本公开的一些实施例，所述向所述第一数据端写入第一预设数据，包括：
[0019]将所述第一预设数据通过所述第一数据端写入所述存储器的预设位置。
[0020]根据本公开的一些实施例，所述从所述第一数据端读取写入的所述第一预设数据，包括：
[0021]通过所述第一数据端从所述存储器的预设位置读取写入的所述第一预设数据。
[0022]根据本公开的一些实施例，所述测试方法还包括：
[0023]通过存储器的测试装置的数据收发平台向所述第一数据端写入所述第一预设数据，向所述第二数据端写入所述第二预设数据；
[0024]通过所述存储器的测试装置的数据收发平台从所述第一数据端读取写入的所述第一预设数据。
[0025]根据本公开的一些实施例，所述第一数据端和所述第二数据端均为双向数据传输端口。
[0026]根据本公开的一些实施例，所述测试方法还包括：
[0027]按照预设规则调整所述第二频率。
[0028]根据本公开的一些实施例，基于示波器的频谱功能获取所述第一数据端读取的数据对应的频谱信息。
[0029]本公开的第二方面提供一种存储器同步开关噪声的测试装置，所述测试装置包括：
[0030]处理器，被配置为，确定存储器的一个数据端作为第一数据端，其余数据端作为第二数据端，并确定所述第一数据端的传输频率为第一频率，所述第二数据端的传输频率为第二频率；其中，所述第一频率高于所述第二频率；
[0031]控制器，被配置为，向所述第一数据端写入第一预设数据，向所述第二数据端写入第二预设数据，所述第一预设数据与所述第一频率相对应，所述第二预设数据与所述第二频率相对应；从所述第一数据端读取写入的所述第一预设数据；
[0032]示波器，被配置为，根据从所述第一数据端读取的数据对应的频谱信息，确定所述存储器是否存在同步开关噪声。
[0033]根据本公开的一些实施例，所述示波器被配置为：
[0034]确定所述频谱信息中是否含有所述第二频率的频谱信息；
[0035]若有，确定所述存储器存在同步开关噪声。
[0036]根据本公开的一些实施例，所述第二频率为所述第一频率的N分频，N为大于等于2的正整数。
[0037]根据本公开的一些实施例，所述处理器被配置为，设置所述第一预设数据与所述第一频率、以及所述第二预设数据与所述第二频率的映射关系。
[0038]根据本公开的一些实施例，所述控制器被配置为，将所述第一预设数据通过所述第一数据端写入所述存储器的预设位置。
[0039]根据本公开的一些实施例，所述控制器被配置为，通过所述第一数据端从所述存储器的预设位置读取写入的所述第一预设数据。
[0040]根据本公开的一些实施例，所述控制器被配置为，通过数据收发平台向所述第一数据端写入所述第一预设数据，向所述第二数据端写入所述第二预设数据；以及通过所述数据收发平台从所述第一数据端读取写入的所述第一预设数据。
[0041]根据本公开的一些实施例，所述处理器还被配置为，按照预设规则调整所述第二频率。
[0042]本公开实施例所提供的存储器同步开关噪声的测试方法以及测试装置中，通过确定存储器的一个数据输入输出端作为第一数据端，其余数据输入输出端作为第二数据端，并确定第一数据端的传输频率高于第二数据端的传输频率；通过区别第一数据端和第二数据端的传输频率，根据数据读写过程中的频谱信息，易于确定存储器是否存在同步开关噪声，并且可精确定位同步开关噪声的存在位置；还可以通过调整第二频率，覆盖传输频率从高频到低频的变化情况，不仅可以观察频谱信息的完整性，还可以观察在不同传输频率下同步开关噪声情况，定位最大同步开关噪声的位置，进而提供适应性地有效减少该同步开关噪声的方案。本公开实施例提供的存储器同步开关噪声的测试方法，可以适用于DDR系统，对DDR存储器的同步开关噪声情况进行测试。另外，本公开实施例提供的测试方法还可以良好的适用仿真和验证仿真。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器同步开关噪声的测试方法，其特征在于，所述测试方法包括：确定存储器的一个数据输入输出端作为第一数据端，其余数据输入输出端作为第二数据端，并确定所述第一数据端的传输频率为第一频率，所述第二数据端的传输频率为第二频率；其中，所述第一频率高于所述第二频率；向所述第一数据端写入第一预设数据，向所述第二数据端写入第二预设数据，所述第一预设数据与所述第一频率相对应，所述第二预设数据与所述第二频率相对应；从所述第一数据端读取写入的所述第一预设数据；根据从所述第一数据端读取的数据对应的频谱信息，确定所述存储器是否存在同步开关噪声。2.根据权利要求1所述的存储器同步开关噪声的测试方法，其特征在于，所述根据从所述第一数据端读取的数据对应的频谱信息，确定所述存储器是否存在同步开关噪声，包括：确定所述频谱信息中是否含有所述第二频率的频谱信息；若有，确定所述存储器存在同步开关噪声。3.根据权利要求1或2所述的存储器同步开关噪声的测试方法，其特征在于，所述第二频率为所述第一频率的N分频，N为大于等于2的正整数。4.根据权利要求3所述的存储器同步开关噪声的测试方法，其特征在于，所述测试方法还包括：设置所述第一预设数据与所述第一频率、以及所述第二预设数据与所述第二频率的映射关系。5.根据权利要求1或2所述的存储器同步开关噪声的测试方法，其特征在于，所述向所述第一数据端写入第一预设数据，包括：将所述第一预设数据通过所述第一数据端写入所述存储器的预设位置。6.根据权利要求1或2所述的存储器同步开关噪声的测试方法，其特征在于，所述从所述第一数据端读取写入的所述第一预设数据，包括：通过所述第一数据端从所述存储器的预设位置读取写入的所述第一预设数据。7.根据权利要求1所述的存储器同步开关噪声的测试方法，其特征在于，所述测试方法还包括：通过数据收发平台向所述第一数据端写入所述第一预设数据，向所述第二数据端写入所述第二预设数据；通过数据收发平台从所述第一数据端读取写入的所述第一预设数据。8.根据权利要求1所述的存储器同步开关噪声的测试方法，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：方雅祺，马茂松，刘建斌，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：