芯片测试过程中的OTP存储单元检测方法及装置制造方法及图纸

本公开提供了一种芯片测试过程中的一次可编程OTP存储单元检测方法及设备，涉及半导体技术领域。所述方法包括：获取半导体芯片经过第一测试站点测试之后的第一记录文件；根据第一记录文件获得第一OTP单元状态结果记录数据；获取半导体芯片经过第二测试站点测试之后的第二记录文件；根据第二记录文件获得第二OTP单元状态结果记录数据；根据第一OTP单元状态结果记录数据和第二OTP单元状态结果记录数据获得半导体芯片的跨站点OTP单元状态检测结果。本公开通过第一OTP单元状态结果记录数据和第二OTP单元状态结果记录数据检测出信息异常的OTP单元，从而保证半导体芯片的良率。从而保证半导体芯片的良率。从而保证半导体芯片的良率。

【技术实现步骤摘要】
芯片测试过程中的OTP存储单元检测方法及装置


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种芯片测试过程中的OTP存储单元检测方法及装置。

技术介绍

[0002]一次可编程(One
‑
Time Programmable，OTP)存储单元由于其成本较低且与逻辑制程相兼容，近年来得到了广泛的应用。OTP存储单元用于烧写必要的信息，例如，修补信息、参数信息等芯片相关的信息。
[0003]OTP存储单元所记录的信息对诸如动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称：DRAM)等半导体芯片的正常工作至关重要。通常每颗半导体芯片中设计有几千到几十万个不等的OTP存储单元，任何一个OTP存储单元的信息异常都有可能导致半导体芯片的失效，因此，检测出信息异常的OTP存储单元至关重要。
[0004]如何检测出信息异常的OTP存储单元，是一个亟待解决的问题。
[0005]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0006]本公开提供一种芯片测试过程中的OTP存储单元检测方法及装置，能够检测出信息异常的OTP存储单元。
[0007]本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
[0008]根据本公开的一个方面，提供一种芯片测试过程中的一次可编程OTP存储单元检测方法，所述方法包括：获取半导体芯片经过第一测试站点测试之后的第一记录文件；根据所述第一记录文件获得第一OTP单元状态结果记录数据；获取所述半导体芯片经过第二测试站点测试之后的第二记录文件，所述第一测试站点与所述第二测试站点为连续的前后两个测试站点；根据所述第二记录文件获得第二OTP单元状态结果记录数据；根据所述第一OTP单元状态结果记录数据和所述第二OTP单元状态结果记录数据获得所述半导体芯片的跨站点OTP单元状态检测结果。
[0009]根据本公开的另一个方面，提供一种芯片测试过程中的一次可编程OTP单元检测装置，所述装置包括：获取模块，用于获取半导体芯片经过第一测试站点测试之后的第一记录文件；所述获取模块，还用于根据所述第一记录文件获得第一OTP单元状态结果记录数据；所述获取模块，还用于获取所述半导体芯片经过第二测试站点测试之后的第二记录文件，所述第一测试站点与所述第二测试站点为连续的前后两个测试站点；所述获取模块，还用于根据所述第二记录文件获得第二OTP单元状态结果记录数据；检测模块，用于根据所述第一OTP单元状态结果记录数据和所述第二OTP单元状态结果记录数据获得所述半导体芯片的跨站点OTP单元状态检测结果。
[0010]根据本公开的再一个方面，提供一种计算机设备，包括一个或多个处理器；存储器，配置为存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时，使得所述计算机设备实现本公开任一实施例中的芯片测试过程中的一次可编程OTP单元检测方法。
[0011]根据本公开的又一个方面，提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序适于由处理器加载并执行，以使得具有所述处理器的计算机设备执行本公开任一实施例中的芯片测试过程中的一次可编程OTP单元检测方法。
[0012]根据本公开的又一个方面，提供一种计算机程序产品，该计算机程序被处理器执行时实现本公开任一实施例中的芯片测试过程中的一次可编程OTP单元检测方法。
[0013]本公开的实施例所提供的芯片测试过程中的一次可编程OTP单元检测方法及装置，分别获取半导体芯片经过第一测试站点测试之后的第一记录文件以及第二测试站点测试之后的第二记录文件，根据第一记录文件获得第一OTP单元状态结果记录数据，根据第二记录文件获得第二OTP单元状态结果记录数据，根据第一OTP单元状态结果记录数据和第二OTP单元状态结果记录数据获得半导体芯片的跨站点OTP单元状态检测结果。本公开通过第一OTP单元状态结果记录数据和第二OTP单元状态结果记录数据检测出信息异常的OTP单元，从而保证半导体芯片的良率。
[0014]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
[0015]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1示出了本公开实施例提供的一种晶圆的结构示意图。
[0017]图2示出了本公开实施例提供的OTP存储单元检测系统。
[0018]图3示出本公开在efuse全流程监测应用场景下的OTP存储单元检测系统。
[0019]图4示出本公开一实施例中OTP存储单元检测方法的流程图。
[0020]图5示出本公开另一实施例中OTP存储单元检测方法的流程图。
[0021]图6示出本公开烧写过程示意图。
[0022]图7示出本公开一实施例中OTP存储单元在任一检测站点的站内检测方法流程图的流程图。
[0023]图8示出本公开再一实施例中OTP存储单元检测方法的流程图。
[0024]图9示出本公开实施例中芯片测试过程中的一次可编程OTP存储单元检测装置示意图。
[0025]图10示出本公开实施例中一种计算机设备的结构示意图。
[0026]图11示出本公开实施例中一种计算机可读存储介质示意图。
具体实施方式
[0027]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。
[0028]此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。附图中所示的一些方框图是功能实体，不一定必须与物理或逻辑上独立的实体相对应。可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
[0029]应当理解，本公开的方法实施方式中记载的各个步骤可以按照不同的顺序执行，和/或并行执行。此外，方法实施方式可以包括附加的步骤和/或省略执行示出的步骤。本公开的范围在此方面不受限制。
[0030]需要注意，本公开中提及的“第一”、“第二”等概念仅用于对不同的装置、模块或单元进行区分，并非用于限定这些装置、模块或单元所执行的功能的顺序或者相互依存关系。
[0031]需本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片测试过程中的一次可编程OTP存储单元检测方法，其特征在于，包括：获取半导体芯片经过第一测试站点测试之后的第一记录文件；根据所述第一记录文件获得第一OTP单元状态结果记录数据；获取所述半导体芯片经过第二测试站点测试之后的第二记录文件，所述第一测试站点与所述第二测试站点为连续执行的前后两个测试站点；根据所述第二记录文件获得第二OTP单元状态结果记录数据；根据所述第一OTP单元状态结果记录数据和所述第二OTP单元状态结果记录数据获得所述半导体芯片的跨站点OTP单元状态检测结果。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一OTP单元状态结果记录数据包括所述半导体芯片中的OTP单元总数量以及每个OTP单元的第一状态信息；所述第二OTP单元状态结果记录数据包括所述OTP单元总数量以及每个OTP单元的第二状态信息；其中，所述根据所述第一OTP单元状态结果记录数据和所述第二OTP单元状态结果记录数据获得所述半导体芯片的跨站点OTP单元状态检测结果，包括：根据每个OTP单元的第一状态信息和第二状态信息，统计在所述第一测试站点测试过程中状态为已烧写且在第二测试站点测试之前状态为未烧写的第一错误OTP单元的数量；根据所述第一错误OTP单元的数量和在所述第一测试站点测试过程中的已烧写OTP单元数量，得到烧写失败比值；根据每个OTP单元的第一状态信息和第二状态信息，统计在所述第一测试站点测试过程中状态为未烧写且在第二测试站点测试之前状态为已烧写的第二错误OTP单元的数量；根据所述第二错误OTP单元的数量和在所述第一测试站点测试过程中的未烧写OTP单元数量，得到误烧写比值；在所述烧写失败比值大于第一预设值，或所述误烧写比值大于第二预设值的情况下，对所述半导体芯片进行降级处理。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述未烧写比值小于或等于第一预设值，且所述误烧写比值小于或等于第二预设值的情况下，保持所述半导体芯片的等级。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述第一测试站点为晶圆测试CP站点，所述第二测试站点为老化测试RDBI站点；或者，所述第一测试站点为RDBI站点，所述第二测试站点为FT后段测试站点。5.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，在所述根据所述第一OTP单元状态结果记录数据和所述第二OTP单元状态结果记录数据获得所述半导体芯片的跨站点OTP单元状态检测结果之前，所述方法还包括：获取所述半导体芯片的芯片标识；根据所述芯片标识，获取属于同一所述半导体芯片的所述第一OTP单元状态结果记录数据和所述第二OTP单元状态结果记录数据；其中，所述根据所述第一OTP单元状态结果记录数据和所述第二OTP单元状态结果记录数据获得所述半导体芯片的跨站点OTP单元状态检测结果，包括：根据属于同一所述半导体芯片的所述第一OTP单元状态结果记录数据和所述第二OTP
单元状态结果记录数据获得所述半导体芯片的跨站点OTP单元状态检测结果。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述芯片标识包括芯片ID、晶圆编码和位置坐标中的一种或多种。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一OTP单元状态结果记录数据包括所述半导体芯片中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪锡，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：