本公开涉及一种存储器失效测试方法、存储器失效测试装置、计算机可读存储介质及电子设备。该存储器失效测试方法，包括：在存储器的存储阵列中写入预设存储数据；升高位线电压，控制存储阵列的部分字线进入测试模式；等待预设时间后退出测试模式；关闭预设部分位线的灵敏放大器，读取剩余部分位线的数据；将读取的剩余部分位线的数据与预设存储数据进行比较，获得比较结果；根据比较结果对存储器的失效状态进行判定。本公开可以提高存储器失效状态的测试效率和测试准确性。试效率和测试准确性。试效率和测试准确性。
【技术实现步骤摘要】
存储器失效测试方法及装置、存储介质及电子设备
[0001]本公开涉及集成电路
，具体而言，涉及一种存储器失效测试方法、存储器失效测试装置、计算机可读存储介质及电子设备。
技术介绍
[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由于具有结构简单，密度高，功耗低，价格低廉等优点，在计算机领域和电子行业中受到了广泛的应用。
[0003]在DRAM产品存储阵列单元之间的漏电测试(cell to cell测试)中，可以借助电位压差来测试cell漏电，以检测出具有潜在风险的芯片。
[0004]然而，现有的测试方法需要不断逐步刷新阵列单元之间的电位压差，导致测试过程耗时较长，测试准确性不高。
[0005]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
[0006]本公开的目的在于提供一种存储器失效测试方法、存储器失效测试装置、计算机可读存储介质及电子设备。
[0007]本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本专利技术的实践而习得。
[0008]根据本公开的第一方面，提供一种存储器失效测试方法，包括：在所述存储器的存储阵列中写入预设存储数据；升高位线电压，控制所述存储阵列的部分字线进入测试模式；等待预设时间后退出所述测试模式；关闭预设部分位线的灵敏放大器，读取剩余部分位线的数据；将读取的所述剩余部分位线的数据与所述预设存储数据进行比较，获得比较结果；根据所述比较结果对所述存储器的失效状态进行判定。
[0009]在本公开的一种示例性实施方式中，所述升高位线电压包括：将所述位线的电压从预充电电压升高到工作电压。
[0010]在本公开的一种示例性实施方式中，所述预设时间为所述字线从激活到预充电的时间。
[0011]在本公开的一种示例性实施方式中，所述读取剩余部分位线的数据包括：获取待测存储单元的测试数据。
[0012]在本公开的一种示例性实施方式中，根据所述比较结果对所述存储器的失效状态进行判定，包括：所述预设存储数据包括在待测存储单元中写入预设数据，判断所述测试数据与所述预设数据是否相同。
[0013]在本公开的一种示例性实施方式中，所述预设数据为“0”，若所述测试数据为非“0”，则判定所述待测存储单元的数据失真，所述待测存储单元失效。
[0014]在本公开的一种示例性实施方式中，控制所述存储阵列的部分字线进入测试模式，包括：控制所述存储阵列的奇数行字线或偶数行字线进行上电，进入所述测试模式。
[0015]在本公开的一种示例性实施方式中，所述预设存储数据包括第一拓扑数据，所述存储器写入所述第一拓扑数据后，所述存储器中奇数行字线所对应的存储单元和奇数列位线所对应的存储单元中均写入“1”，其余存储单元中均写入“0”。
[0016]在本公开的一种示例性实施方式中，所述方法还包括：在写入所述第一拓扑数据时，控制所述存储阵列的奇数行字线进行上电；关闭奇数列位线的所述灵敏放大器，读取偶数列位线的数据。
[0017]在本公开的一种示例性实施方式中，所述预设存储数据包括第二拓扑数据，所述存储器写入所述第二拓扑数据后，所述存储器中奇数行字线所对应的存储单元和偶数列位线所对应的存储单元中均写入“1”，其余存储单元中均写入“0”。
[0018]在本公开的一种示例性实施方式中，所述方法还包括：在写入所述第二拓扑数据时，控制所述存储阵列的奇数行字线进行上电；关闭偶数列位线的所述灵敏放大器，读取奇数列位线的数据。
[0019]在本公开的一种示例性实施方式中，所述预设存储数据包括第三拓扑数据，所述存储器写入所述第三拓扑数据后，所述存储器中偶数行字线所对应的存储单元和奇数列位线所对应的存储单元中均写入“1”，其余存储单元中均写入“0”。
[0020]在本公开的一种示例性实施方式中，所述方法还包括：在写入所述第三拓扑数据时，控制所述存储阵列的偶数行字线进行上电；关闭奇数列位线的所述灵敏放大器，读取偶数列位线的数据。
[0021]在本公开的一种示例性实施方式中，所述预设存储数据包括第四拓扑数据，所述存储器写入所述第四拓扑数据后，所述存储器中偶数行字线所对应的存储单元和偶数列位线所对应的存储单元中均写入“1”，其余存储单元中均写入“0”。
[0022]在本公开的一种示例性实施方式中，所述方法还包括：在写入所述第四拓扑数据时，控制所述存储阵列的偶数行字线进行上电；关闭偶数列位线的所述灵敏放大器，读取奇数列位线的数据。
[0023]根据本公开的第二方面，提供一种存储器失效测试装置，包括：数据写入模块，用于在所述存储器的存储阵列中写入预设存储数据；测试模块，用于升高位线电压，控制所述存储阵列的部分字线进入测试模式，等待预设时间后退出所述测试模式；数据读取模块，用于关闭预设部分位线的灵敏放大器，读取剩余部分位线的数据；比较模块，用于将读取的所述剩余部分位线的数据与预设存储数据进行比较，获得比较结果；判定模块，用于根据所述比较结果对所述存储器的失效状态进行判定。
[0024]根据本公开的第三方面，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的存储器失效测试方法。
[0025]根据本公开的第四方面，提供一种电子设备，包括：处理器；以及存储器，用于存储所述处理器的可执行指令；其中，所述处理器配置为经由执行所述可执行指令来执行上述的存储器失效测试方法。
[0026]本公开提供的技术方案可以包括以下有益效果：
[0027]本公开示例性实施方式中，一方面，通过在存储器的存储阵列中写入预设存储数
据，并升高位线电压，在存储阵列的部分字线进入测试模式时，可以保持这些部分字线对应的存储单元中的数据一直是“1”，即高电位，从而确保与相邻的存储数据为“0”的存储单元之间存在电位差；另外，通过关闭预设部分位线的灵敏放大器，只对剩余部分位线的数据进行读取，并将读取的数据与预设存储数据进行比较，根据比较结果就可以达到对存储器的失效状态进行判定的目的；另一方面，由于本公开实施例通过升高位线电压，并控制部分字线进入测试模式，通过保持部分字线对应的存储单元中的数据为“1”，可以持续提供一种存在电位差的状态，无需不断逐步刷新阵列单元，从而减少了测试过程的总耗时，提高了测试效率。并且，预设存储数据为“0”的待测存储单元的周围其他相邻存储单元中的数据始终保持为“1”，通过获取待测存储单元中的数据，即可快速准确判断该待测存储单元是否失效。
[0028]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
[0029]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器失效测试方法，其特征在于，包括：在所述存储器的存储阵列中写入预设存储数据；升高位线电压，控制所述存储阵列的部分字线进入测试模式；等待预设时间后退出所述测试模式；关闭预设部分位线的灵敏放大器，读取剩余部分位线的数据；将读取的所述剩余部分位线的数据与所述预设存储数据进行比较，获得比较结果；根据所述比较结果对所述存储器的失效状态进行判定。2.根据权利要求1所述的存储器失效测试方法，其特征在于，所述升高位线电压包括：将所述位线的电压从预充电电压升高到工作电压。3.根据权利要求1所述的存储器失效测试方法，其特征在于，所述预设时间为所述字线从激活到预充电的时间。4.根据权利要求1所述的存储器失效测试方法，其特征在于，所述读取剩余部分位线的数据包括：获取待测存储单元的测试数据。5.根据权利要求4所述的存储器失效测试方法，其特征在于，根据所述比较结果对所述存储器的失效状态进行判定，包括：所述预设存储数据包括在待测存储单元中写入预设数据，判断所述测试数据与所述预设数据是否相同。6.根据权利要求5所述的存储器失效测试方法，其特征在于，所述预设数据为“0”，若所述测试数据为非“0”，则判定所述待测存储单元的数据失真，所述待测存储单元失效。7.根据权利要求1
‑
6中任一项所述的存储器失效测试方法，其特征在于，控制所述存储阵列的部分字线进入测试模式，包括：控制所述存储阵列的奇数行字线或偶数行字线进行上电，进入所述测试模式。8.根据权利要求7所述的存储器失效测试方法，其特征在于，所述预设存储数据包括第一拓扑数据，所述存储器写入所述第一拓扑数据后，所述存储器中奇数行字线所对应的存储单元和奇数列位线所对应的存储单元中均写入“1”，其余存储单元中均写入“0”。9.根据权利要求8所述的存储器失效测试方法，其特征在于，所述方法还包括：在写入所述第一拓扑数据时，控制所述存储阵列的奇数行字线进行上电；关闭奇数列位线的所述灵敏放大器，读取偶数列位线的数据。10.根据权利要求7所述的存储器失效测试方法，其特征在于，所述预设存储数据包括第二拓扑数据，所述存储器写入所述第二拓扑数据后，所述存储器中奇数行字线所对应的存储单元和偶数列位线所对应的存储单元中均写入“1”，其余存储单元中均写入...
【专利技术属性】
技术研发人员：周成功，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。