OPC修正方法技术

本发明专利技术公开了一种OPC修正方法，包括：步骤一、提供初始目标层并设置掩模板最小解析尺寸；步骤二、在初始目标层中选择出在后续MBOPC修正中会违反掩模规则检查的第一图形；步骤三、对第一图形进行分段处理将第一图形的各边分割成多个分段，分段包括角分段和中间分段，分段处理后的初始目标层为第二目标层；步骤四、基于所述第二目标层进行MBOPC修正并得到掩模板图层，MBOPC修正包括多次迭代循环运算，各次迭代循环运算中，角分段和中间分段分开修正，通过角分段控制掩模板图层中第一图形的顶角尺寸，通过中间分段控制掩模板图层中第一图形的面积。本发明专利技术能实现对掩模板图层中的图形尺寸进行调控，能在不违反MRC的情况下，使曝光图形符合目标值并符合量产需求。图形符合目标值并符合量产需求。图形符合目标值并符合量产需求。

【技术实现步骤摘要】
OPC修正方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别涉及一种光学邻近效应修正(Optical Proximity Correction，OPC)方法。

技术介绍

[0002]随着半导体制造工艺节点降低，特别是14nm以下工艺节点，图形的关键尺寸接近光刻极限，图形结构相对更加复杂，光罩修正面临着巨大考验。在真实曝光过程中，由于光的干涉、衍射效应，曝光图形会出现失真，包括角圆滑、线缩短等。光学临近效应修正(OPC)成为必不可少的工艺环节。OPC修正的过程本质是个迭代过程，通过模型仿真使得预测的轮廓图形(contour)无限接近目标值(target)在修正过程中，光罩图形尺寸如关键尺寸(CD)或间距(Space)接近设定的光罩规则检查(Mask Rule Check，MRC)的规则(Rule)即掩模板最小解析尺寸时，边就不会移动了，避免违反MRC。在修正过程中，通常会预先人为设定MRC的规则，包括掩模解析最小CD与Space，所设定的MRC的规则一般由工艺节点决定和掩模板制作工厂(Mask Shop)的工艺能力决定的，掩模板制作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种OPC修正方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供初始目标层并设置掩模板最小解析尺寸；步骤二、根据所述掩模板最小解析尺寸在所述初始目标层中选择出在后续基于模型的OPC修正中会违反掩模规则检查的第一图形；步骤三、对所述第一图形进行分段处理，所述分段处理将所述第一图形的各边分割成多个分段，各所述边的各所述分段包括角分段和中间分段，所述角分段的一个顶点为所述边的顶点，所述角分段的另一个顶点为相邻的所述中间分段的顶点；所述分段处理后的所述初始目标层为第二目标层；步骤四、基于所述第二目标层进行基于模型的OPC修正并得到掩模板图层，所述基于模型的OPC修正包括多次迭代循环运算，各次所述迭代循环运算中，所述第一图形的各所述边的所述角分段和所述中间分段分开修正，通过所述角分段控制所述掩模板图层中所述第一图形的顶角尺寸，通过所述中间分段控制所述掩模板图层中所述第一图形的面积。2.如权利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于：步骤四之后，还包括：步骤五、对所述掩模板图层进行掩模规则检查。3.如权利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于：步骤一中，所述初始目标层通过对初始版图进行基于规则的OPC修正得到。4.如权利要求2所述的OPC修正方法，其特征在于：所述掩模板最小解析尺寸包括关键尺寸最小解析值和间距最小解析值。5.如权利要求4所述的OPC修正方法，其特征在于：步骤五中，所述掩模板图层中的所述第一图形的关键尺寸大于所述关键尺寸最小解析值...

【专利技术属性】
技术研发人员：付欣欣，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：