改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法技术

本发明专利技术提供一种改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法，提供设计版图，设计版图由多种类型的图形组成，图形包括一维线图形和二维图形；根据二维图形的目标关键尺寸和图形复杂度设置不同的切断段设计规则：判断二维图形的目标关键尺寸和图形复杂度是否符合目标值，若是，则减少第一至N段的切割段的长度至目标长度；利用不同的切割段设计规则根据二维图形的轮廓形成及迭代切割段，形成修正后版图，使得修正后版图的显影后图形与设计版图之间误差值小于或等于目标误差；检验修正后版图的准确性，若无错误则以修正后版图制作光罩。本发明专利技术的光学邻近修正方法对金属填充的能力提供了有效的帮助，且普遍适用于各个技术节点，提高了关键尺寸的精准度。了关键尺寸的精准度。了关键尺寸的精准度。

【技术实现步骤摘要】
改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法。

技术介绍

[0002]随着先进工艺技术节点的降低，对于金属层而言，不仅对1D(一维线图形)的要求提高，对2D(二维图形)线端结构关键尺寸(Line
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end CD)精度的要求也越来越高。
[0003]当版图存在环境比较复杂的小尺寸2D图形时，传统方法是对设计版图做常规的分段处理，再正常修OPC，不会对特别的小尺寸线端结构做特殊分段，那么这样修正出的掩膜版曝光到晶圆上，2D线端结构关键尺寸可能无法满足精度要求，导致金属线条末端处填充铜失败。
[0004]为解决上述问题，需要提出一种新型的改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法，用于解决现有技术中对设计版图做常规的分段处理，再正常修OPC，不会对特别的小尺寸线端结构做特殊分段，那么这样修正出的掩膜版曝光到晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供设计版图，所述设计版图由多种类型的图形组成，所述图形包括一维线图形和二维图形；步骤二、根据所述二维图形的目标关键尺寸和图形复杂度设置不同的切断段设计规则：判断所述二维图形的目标关键尺寸和图形复杂度是否符合目标值，若是，则减少第一至N段的所述切割段的长度至目标长度；步骤三、利用不同的所述切割段设计规则根据所述二维图形的轮廓形成及迭代切割段，形成修正后版图，使得所述修正后版图的显影后图形与所述设计版图之间误差值小于或等于目标误差；步骤四、检验所述修正后版图的准确性，若无错误则以所述修正后版图制作光罩。2.根据权利要求1所述的改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法，其特征在于：步骤一中的所述图形用于定义金属层在衬底上的形成区域。3.根据权利要求2所述的改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法，其特征在于：步骤一中的所述金属层的材料为铜。4.根据权利要求1所述的改善电镀填孔能...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘娟，于世瑞，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：