一种自适应步长的光学临近效应矫正方法技术

本申请提供一种自适应步长的光学临近效应矫正方法，包括：步骤一，目标图形的边缘切割；步骤二，移动步长的自适应；步骤三，对目标图形的循环优化，直至满足预设的精度要求。通过本申请，充分考虑复杂芯片设计版图的OPC矫正需求和图像内部光学临近效应影响，可以显著提高对晶圆设计版图的OPC矫正效果。提高对晶圆设计版图的OPC矫正效果。提高对晶圆设计版图的OPC矫正效果。

【技术实现步骤摘要】
一种自适应步长的光学临近效应矫正方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种自适应步长的光学临近效应矫正方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路的快速发展和晶圆代工企业规模的扩大，摩尔定律已达到实际应用极限。特别是55nm以后，集成电路制造对光刻工艺的要求越来越高，如何有效抑制版图上的图形在光刻工艺以后产生的变形和数据偏差，减少光学临近效应(Optical Proximity effect,OPE)带来的负面影响，成为提高芯片良率的核心因素。
[0003]针对OPE带来的影响，目前主要采用的是光学临近效应矫正(Optical Proximity Correction,OPC)对版图进行校正，以充分减少光束的干涉和衍射效应对图形形状的影响。目前业界在OPC技术上普遍采用的是一种以分段分类思想为基础的光学临近矫正方法，该方法在一定程度上对版图临近效应的矫正有一定的效果，但其采用固定的单一步长切分图形边缘，固定的移动距离进行光学临近效应矫正，对于复杂的芯片设计版图，限制了OPC的矫正质量，会造成修正结果的不准确，修正后的图形轮廓本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自适应步长的光学临近效应矫正方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，目标图形的边缘切割；步骤二，移动步长的自适应；步骤三，对所述目标图形的循环优化，直至满足预设的精度要求。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤一中，在图形预处理阶段，根据待矫正版图图形最小线宽以及光刻波长来确定对所述目标图形所要采取的切割步长。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在图形的最小线宽小于光刻波长的情况下，采用最小线宽的五分之一作为图形切割的基础步长；在图形的最小线宽大于光刻波长的情况下，采用光刻波长的五分之一作为图形切割的基础步长。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，采用对所述基础步长的加权计算得到所述切割步长，即切割步长＝目标图形基础步长*权重因子+环境图形基础步长*权重因子，其中，待矫正的目标图形权重因子为1，环境图形权重因子为2。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤二中，对已完成切割并被标记成线段、线端或拐角类型的目标线段，在矫正中进行整体移动时，选择线段中点对应的成像点与预期点之间的距离作为初次的移动步长。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤二中，在未达到优化目标之前的第N次循环矫正中(...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯顺魁，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：