改善不同尺寸栅极高度差异的方法技术

本发明专利技术提供一种改善不同尺寸栅极高度差异的方法，提供衬底，衬底上包括短沟道器件区和长沟道器件区，在短沟道器件区和长沟道器件区上形成有栅极介电层及其上的第一、二伪栅多晶硅层，第一伪栅多晶硅层的宽度低于第二伪栅多晶硅层，在第一、二伪栅多晶硅层的侧壁形成侧墙结构；在衬底上形成覆盖第一、二伪栅多晶硅层和侧墙结构的刻蚀停止层，在刻蚀停止层上形成层间介质层；利用化学机械平坦化研磨的方法研磨层间介质层，研磨过程中采用的研磨液对栅极多晶硅层的研磨速率低于对层间介质层的研磨速率，使得短沟道器件区和长沟道器件区上的第一、二伪栅多晶硅层的高度分别为第一、二目标高度。本发明专利技术的方法能够改善不同尺寸栅极高度差异。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种改善不同尺寸栅极高度差异的方法。

技术介绍

1、当技术节点进入28nm以下，连接器件变得非常小，量子效应等愈发凸现，原有传统多晶硅栅和氧化硅介电层已经无法满足器件高性能的需求，因此引入了high-k材料和金属栅。现有多晶硅栅极工艺中，多晶硅直接作为栅极由接触孔连出，而金属栅工艺中，在填充完金属栅之后，会有一道化学机械研磨(cmp)，除掉多余金属。在cmp工艺中，由于图形差异，长沟道器件区金属栅会比短沟道器件区磨得快，导致在cmp之前短沟道器件区和长沟道器件区相近的栅极高度在cmp之后，长沟道器件区栅极高度远低于短沟道器件区栅极高度且填充金属几乎被磨光，从而在后续接触孔工艺时有扎穿的风险。

2、为解决上述问题，需要提出一种新型的改善不同尺寸栅极高度差异的方法。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善不同尺寸栅极高度差异的方法，用于解决现有技术中由于图形负载，长沟道器件区金属栅会比短沟道器件区磨得快，导致在cmp之前短沟道器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善不同尺寸栅极高度差异的方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的改善不同尺寸栅极高度差异的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(SOI)衬底。

3.根据权利要求1所述的改善不同尺寸栅极高度差异的方法，其特征在于：步骤一中的所述栅极介电层包括界面层和所述界面层上方的高k栅极介电层。

4.根据权利要求1所述的改善不同尺寸栅极高度差异的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一、二伪栅多晶硅层的形成方法包括：利用淀积、研磨在所述衬底上形成栅极多晶硅；在所述栅极多晶硅上形成光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层以定义出所...

【技术特征摘要】

1.一种改善不同尺寸栅极高度差异的方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的改善不同尺寸栅极高度差异的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。

3.根据权利要求1所述的改善不同尺寸栅极高度差异的方法，其特征在于：步骤一中的所述栅极介电层包括界面层和所述界面层上方的高k栅极介电层。

4.根据权利要求1所述的改善不同尺寸栅极高度差异的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一、二伪栅多晶硅层的形成方法包括：利用淀积、研磨在所述衬底上形成栅极多晶硅；在所述栅极多晶硅上形成光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层以定义出所述第一、二伪栅多晶硅层的形成区域；利用刻蚀形成所述第一、二伪栅多晶硅层；去除剩余的所述光刻胶层。

5.根据权利要求4所述的改善不同尺寸栅极高度差异的方法，其特征在于：步骤一中的所述刻蚀的...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭洋昆，程器，彭翔，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：