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本发明提供一种改善不同尺寸栅极高度差异的方法，提供衬底，衬底上包括短沟道器件区和长沟道器件区，在短沟道器件区和长沟道器件区上形成有栅极介电层及其上的第一、二伪栅多晶硅层，第一伪栅多晶硅层的宽度低于第二伪栅多晶硅层，在第一、二伪栅多晶硅层的侧...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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