轻掺杂漏区的形成方法技术

本发明专利技术提供一种轻掺杂漏区的形成方法，重新出版各器件中阈值电压最小的器件的轻掺杂漏区光罩，轻掺杂漏区光罩作为轻掺杂工艺中的首层光罩，其用于定义出各器件的共源注入区；在对各器件进行离子注入时，形成覆盖各器件的光刻胶层，利用首层光罩打开各器件轻掺杂漏区上的光刻胶层，之后进行所有器件的共源离子注入，去除剩余的光刻胶层；调整之后离子注入的剂量，利用多次离子注入使得各器件中轻掺杂漏区的掺杂浓度为所需值。本发明专利技术能够在不增加光刻层次和额外花费的情况下，提高产能，且离子注入总量减少，轻掺杂漏区表面整体情况变好，从而提高器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种轻掺杂漏区的形成方法。

技术介绍

1、28nm技术节点的hk ldd(高介电常数轻掺杂漏区)不同层次的离子注入独立进行；多阈值电压产品需求量大，导致imp(离子注入)机台产能严重不足。

2、轻掺杂漏区光刻机台工作中，光刻胶层在被imp轰击后去除能力变差，容易导致衬底表面受到影响，造成imp注入均匀性差，导致器件性能较差。

3、为解决上述问题，需要提出一种新型的轻掺杂漏区的形成方法。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种轻掺杂漏区的形成方法，用于解决现有技术中多阈值电压产品需求量大，导致imp(离子注入)机台产能严重不足，且光刻胶层在被离子注入轰击后去除能力变差，容易导致衬底表面受到影响，造成离子注入注入均匀性差的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种轻掺杂漏区的形成方法，包括：

3、步骤一、重新出版各器件中阈值电压最小的所述器件的轻掺杂漏区光罩，所述轻掺杂漏区光罩作为本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于：步骤一中的所述器件为NMOS器件。

3.根据权利要求1所述的轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于：步骤一中的所述器件包括低压器件、中压器件和高压器件。

4.根据权利要求1所述的轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于：步骤一中的所述器件形成于衬底上。

5.根据权利要求4所述的轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(SOI)衬底。

6.根据权利要求1所述的轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于：...

【技术特征摘要】

1.一种轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于：步骤一中的所述器件为nmos器件。

3.根据权利要求1所述的轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于：步骤一中的所述器件包括低压器件、中压器件和高压器件。

4.根据权利要求1所述的轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于：步骤一中的所述器件形成于衬底上。

5.根据权利要求4所述的轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。

6.根据权利要求1所述的轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于：步骤二、三中...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅文钊，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：