【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁控溅射真空镀膜技术，尤指一种磁控溅射靶以及靶 体中磁体的制备工艺。
技术介绍
真空镀膜技术在各种工业和科研领域中有着很广泛的应用，特别 在涉及到高科技行业的领域如磁盘制造、太阳能电池、微加工器件制造、IC电子行业等。》兹控溅射工艺具有成膜效率高、成膜致密、薄膜与衬底结合力强、适合于生长各种材料薄膜、沉积温度低、可以在很 长时间内维持稳定的成膜速率、成膜可重复性高、适合于大批量工业 生产等优点。磁控賊射在永磁体产生的静磁场作用下，阴极发射出的电子被约 束在靶面附近的区域内，极大的增强了靶面附近的电离能力，提高了 靶面附近等离子体浓度，因此可以大大提高溅射的效率，是目前使用 最为广泛的溅射方法之一。但由于受f兹场的限制，只有在靶面附近A兹 场平行分量较强的区域电离度增强，因此靶面上只有部分区域被集中 溅射，賊射过后在靶面上留下一道环形"跑道"状的凹坑，导致靶材的利用率较低， 一般在10~30°/。之间。移动^兹体的方法可以将靶材的利 用率提高到40~50%,但降低了溅射的稳定性和可靠性，且设计结构复 杂，难于推广应用。而将磁控溅射靶应用到超高真空，更...
【技术保护点】
一种磁控溅射靶体中磁体的制备工艺，具体步骤为：１）根据靶材尺寸，确定磁体尺寸并建立磁体几何模型；２）对几何模型进行网格化；３）确定磁体的物理参数，包括相对磁导率和矫顽力；４）确定有限元分析的边界条件，根据有限元算法得出磁场在空间中的分布图像；５）从步骤４）中的分布图像中抽取磁体极面以上３～６ｍｍ区域内的磁场平行分量并绘制曲线；６）改变磁体磁极面的锥角角度，重新进行计算，得到一个最佳的角度，使得磁场平行分量在磁体极面以上３～６ｍｍ区域内分布尽可能宽广而均匀；７）根据所设计的磁体尺寸和形状加工磁体并充磁。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：金贻荣，董世迎，张殿琳，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。