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本发明公开了一种用于超高真空的磁控溅射靶以及靶中磁体的制备工艺，其中磁控溅射靶的靶阴极和靶阳极之间采用一道Ｏ型圈密封，大大减少了密封Ｏ型圈的数量，可以满足超高真空要求。本发明的靶中磁体的制备工艺，通过建立数学模型，对磁体的尺寸与形状进行有限...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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