半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，通过以预设倾斜角度对存储器件区的第一漏端注入区以及对高压器件区的第二源端注入区和第二漏端注入区进行轻掺杂离子注入，可以使注入第一漏端注入区的部分离子被图形化的光刻胶层遮挡而使得第一漏端注入区上形成阴影区域，并利用阴影区域使注入第一漏端注入区的离子的剂量小于注入第二源端注入区或第二漏端注入区的离子的剂量。如此，可以利用同一图形化的光刻胶层为掩膜，同时对高压器件区和存储器件区进行轻掺杂离子注入，使注入第一漏端注入区的离子的剂量小于注入第二源端注入区或第二漏端注入区的离子的剂量，可以节省掩膜，简化工艺流程，并保证存储器件区的有效沟道长度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0002]闪存(flash)作为一种安全、快速的存储体，以其体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点，成为了嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。
[0003]在现有的闪存如嵌入式闪存存储器的制造工艺中，需要对存储器件区的衬底中用于形成漏区的区域进行轻掺杂离子注入，以及需要对高压器件区的衬底中用于形成源区和漏区的区域进行轻掺杂离子注入以调节阈值电压等；现有技术中，由于存储器器件区的沟道长度小于高压器件区的沟道长度，因此，为了在轻掺杂离子注入后保证存储器件区的有效沟道长度，对存储器件区的衬底的轻掺杂离子注入的剂量小于对高压器件区的衬底的轻掺杂离子注入的剂量，因此，存储器件区的衬底的轻掺杂离子注入与高压器件区的衬底的轻掺杂离子注入分别在不同的步骤进行，两个掺杂步骤需要两层掩膜，工艺复杂，不仅增加了制造成本，还增加了工艺时间。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种半导体器件的制造方法，以简化工艺流程并节省掩膜。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底具有相邻的高压器件区和存储器件区，所述存储器件区的衬底中定义有第一源端注入区和第一漏端注入区，所述高压器件区的衬底中定义有第二源端注入区和第二漏端注入区；在所述衬底上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层至少暴露出所述第一漏端注入区、所述第二源端注入区和所述第二漏端注入区；以及，以所述图形化的光刻胶层为掩膜，以预设倾斜角度对所述第一漏端注入区、所述第二源端注入区和所述第二漏端注入区进行轻掺杂离子注入，以使注入所述第一漏端注入区的部分离子被所述图形化的光刻胶层遮挡而使得所述第一漏端注入区上形成阴影区域，并利用所述阴影区域使注入到第一漏端注入区的离子的剂量小于注入到所述第二源端注入区或所述第二漏端注入区的离子的剂量。
[0006]可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述预设倾斜角度为离子束与垂直于所述衬底的平面之间的夹角，所述预设倾斜角度为30
°
~45
°
。
[0007]可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，以预设倾斜角度对所述第一漏端注入区、所述第二源端注入区和所述第二漏端注入区进行轻掺杂离子注入的方法包括：将具有图形化的光刻胶层的衬底置于离子注入盘上，使所述衬底处于第一预设位置，并以所述预设倾斜角度对所述第一漏端注入区、所述第二源端注入区和所述第二漏端注入区进行第一次轻掺杂离子注入；沿顺时针方向旋转所述衬底至第二预设位置，并以所述预设倾斜角度对所述第一漏端注入区、所述第二源端注入区和所述第二漏端注入区进行第二次轻掺杂
离子注入；沿顺时针方向旋转所述衬底至第三预设位置，并以所述预设倾斜角度对所述第一漏端注入区、所述第二源端注入区和所述第二漏端注入区进行第三次轻掺杂离子注入；以及，沿顺时针方向旋转所述衬底至第四预设位置，并以所述预设倾斜角度对所述第一漏端注入区、所述第二源端注入区和所述第二漏端注入区进行第四次轻掺杂离子注入；其中，所述第一次轻掺杂离子注入、所述第二次轻掺杂离子注入、所述第三次轻掺杂离子注入和所述第四次轻掺杂离子注入的离子的剂量相同。
[0008]可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，在对所述第一漏端注入区、所述第二源端注入区和所述第二漏端注入区进行轻掺杂离子注入时，注入所述第一漏端注入区的离子的总剂量不大于注入所述第二源端注入区或所述第二漏端注入区的离子的总剂量的二分之一。
[0009]可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述第一次轻掺杂离子注入、所述第二次轻掺杂离子注入、所述第三次轻掺杂离子注入和所述第四次轻掺杂离子注入中的两次轻掺杂离子注入到所述第一漏端注入区的离子被所述图形化的光刻胶层阻挡。
[0010]可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述第一预设位置、所述第二预设位置、所述第三预设位置和所述第四预设位置之间间隔的角度相同。
[0011]可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述高压器件区的衬底上形成有高压栅结构，所述第二源端注入区和所述第二漏端注入区分别位于所述高压栅结构两侧的所述高压器件区的衬底中；所述存储器件区的衬底上形成有间隔设置的控制栅结构和选择栅结构，所述第一源端注入区和所述第一漏端注入区分别位于所述选择栅结构两侧的所述存储器件区的衬底中。
[0012]可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述高压栅结构包括高压栅氧化层和位于所述高压栅氧化层上的高压栅。
[0013]可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述控制栅结构包括自下而上依次层叠的浮栅氧化层、浮栅、栅间介质层和控制栅；所述选择栅结构包括选择栅氧化层和位于所述选择栅氧化层上的选择栅。
[0014]可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，在所述衬底上形成图形化的光刻胶层时，所述图形化的光刻胶层覆盖所述第一源端注入区、所述高压栅结构、所述控制栅结构、部分所述选择栅结构和部分所述高压器件区的衬底，并且所述图形化的光刻胶层还暴露出部分所述选择栅结构、所述第二源端注入区远离所述高压栅结构一侧的部分所述高压器件区的衬底及所述第二漏端注入区远离所述高压栅结构一侧的部分所述高压器件区的衬底，其中，所述高压器件区的衬底中的被所述图形化的光刻胶层暴露出来的部分较被所述图形化的光刻胶层覆盖的部分靠近所述高压栅结构。
[0015]在本专利技术提供的半导体器件的制造方法中，通过以预设倾斜角度对存储器件区的第一漏端注入区以及对高压器件区的第二源端注入区和第二漏端注入区进行轻掺杂离子注入，可以使注入所述第一漏端注入区的部分离子被图形化的光刻胶层遮挡而使得第一漏端注入区上形成阴影区域，并利用阴影区域使注入到第一漏端注入区的离子的剂量小于注入到所述第二源端注入区或所述第二漏端注入区的离子的剂量。如此，可以利用同一图形化的光刻胶层为掩膜，同时对高压器件区和存储器件区进行轻掺杂离子注入，并使注入到存储器件区的第一漏端注入区的离子的剂量小于注入到高压器件区的第二源端注入区或
第二漏端注入区的离子的剂量，由此，可以节省一层掩膜，简化工艺流程，并保证存储器件区的有效沟道长度，避免存储器件区的沟道漏电。
附图说明
[0016]图1是本专利技术实施例的半导体器件的制造方法的流程示意图。
[0017]图2是本专利技术实施例的半导体器件的制造方法中的高压器件区和存储器件区的结构剖面示意图。
[0018]图3是本专利技术实施例的半导体器件的制造方法中的形成图形化的光刻胶层的步骤中的结构剖面示意图。
[0019]图4是本专利技术实施例的半导体器件的制造方法中进行轻掺杂离子注入的步骤中的结构剖面示意图。
[0020]图5是本专利技术实施例的半导体器件的制造方法中进行轻掺杂离子注入的步骤中的俯视图。
[0021]图6是本专利技术实施例的半导体器件的制造方法中的衬底置于离子注入盘上时的原本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有相邻的高压器件区和存储器件区，所述存储器件区的衬底中定义有第一源端注入区和第一漏端注入区，所述高压器件区的衬底中定义有第二源端注入区和第二漏端注入区；在所述衬底上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层至少暴露出所述第一漏端注入区、所述第二源端注入区和所述第二漏端注入区；以及，以所述图形化的光刻胶层为掩膜，以预设倾斜角度对所述第一漏端注入区、所述第二源端注入区和所述第二漏端注入区进行轻掺杂离子注入，以使注入所述第一漏端注入区的部分离子被所述图形化的光刻胶层遮挡而使得所述第一漏端注入区上形成阴影区域，并利用所述阴影区域使注入到第一漏端注入区的离子的剂量小于注入到所述第二源端注入区或所述第二漏端注入区的离子的剂量。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述预设倾斜角度为离子束与垂直于所述衬底的平面之间的夹角，所述预设倾斜角度为30
°
~45
°
。3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，以预设倾斜角度对所述第一漏端注入区、所述第二源端注入区和所述第二漏端注入区进行轻掺杂离子注入的方法包括：将具有图形化的光刻胶层的衬底置于离子注入盘上，使所述衬底处于第一预设位置，并以所述预设倾斜角度对所述第一漏端注入区、所述第二源端注入区和所述第二漏端注入区进行第一次轻掺杂离子注入；沿顺时针方向旋转所述衬底至第二预设位置，并以所述预设倾斜角度对所述第一漏端注入区、所述第二源端注入区和所述第二漏端注入区进行第二次轻掺杂离子注入；沿顺时针方向旋转所述衬底至第三预设位置，并以所述预设倾斜角度对所述第一漏端注入区、所述第二源端注入区和所述第二漏端注入区进行第三次轻掺杂离子注入；以及，沿顺时针方向旋转所述衬底至第四预设位置，并以所述预设倾斜角度对所述第一漏端注入区、所述第二源端注入区和所述第二漏端注入区进行第四次轻掺杂离子注入；其中，所述第一次轻掺杂离子注入、所述第二次轻掺杂离子注入、所述第三次轻掺杂离子注入和所述第四次轻掺杂离子注入的离子的剂量相同。4.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈安星，张有志，党文，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：