【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体集成电路制造领域，涉及一种半导体器件芯片及其制作方法。
技术介绍
1、伴随着晶圆厚度的减小(低于250μm)，衬底与外延生长的外延膜层(epi)因材料的热膨胀系数(cte)不匹配，会导致应力(stress)产生，使晶圆翘曲(wafer bow)。随着外延膜层数量的增加，翘曲度也逐渐增加，同时半导体体器件的制作过程中的制作工艺也会影响晶圆的翘曲度，例如膜层沉积不均匀、刻蚀速率不均匀、刻蚀的临界尺寸不均匀、膜层沉积过程中载具错位、光刻胶或材料涂层烘烤缺陷、晶圆键合失配等情况，而晶圆的翘曲度过大，将会导致制作半导体器件芯片中的过程中膜层脱落或者晶圆破碎，且晶圆的翘曲还会影响形成的膜层的均匀性及光刻对位的精准度，继而影响半导体器件芯片的制作良率。例如被广泛应用于数据通讯、光传感、面部识别、激光打印显示以及照明、消费电子、激光雷达等领域的垂直腔面发射激光器(vcsel)，主流vcsel产品可以划分为刻蚀台面型、离子注入型、氧化限制型、掩埋异质结型，该器件结构框架组成主要包括上接触电极(contactelectrode)，欧姆接...
【技术保护点】
1.一种半导体器件芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体器件芯片的制作方法，其特征在于：所述晶圆的材质包括SiC、GaN、GaAs。
3.根据权利要求1所述的半导体器件芯片的制作方法，其特征在于：测量所述晶圆的翘曲度之后，于所述晶圆的背面形成所述粘附层之前，还包括于所述晶圆的正面形成预设厚度的保护层的步骤。
4.根据权利要求3所述的半导体器件芯片的制作方法，其特征在于：形成所述钝化层之后，于所述晶圆的正面进行所述正面电极结构的制作之前，还包括去除所述保护层的步骤。
5.根据权利要求1所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体器件芯片的制作方法，其特征在于：所述晶圆的材质包括sic、gan、gaas。
3.根据权利要求1所述的半导体器件芯片的制作方法，其特征在于：测量所述晶圆的翘曲度之后，于所述晶圆的背面形成所述粘附层之前，还包括于所述晶圆的正面形成预设厚度的保护层的步骤。
4.根据权利要求3所述的半导体器件芯片的制作方法，其特征在于：形成所述钝化层之后，于所述晶圆的正面进行所述正面电极结构的制作之前，还包括去除所述保护层的步骤。
5.根据权利要求1所述的半导体器件芯片的制作方法，其特征在于：测量所述晶圆的翘曲度之后，于所述晶圆的背面形成所述粘附层之前，还包括对所述晶圆的背面进行处理的步骤。
6...
【专利技术属性】
技术研发人员：柯才，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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